Commandes de plus de
$5000MICROSEMI APT10045B2FLLG
Trans MOSFET N-CH 1KV 23A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Marques: MICROSEMI
Pièce Fabricant #: APT10045B2FLLG
Fiche de données: APT10045B2FLLG Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: T-MAX™ [B2]
Statut RoHS:
État des stocks: 9 967 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $31,227 | $31,227 |
200 | $12,085 | $2417,000 |
500 | $11,660 | $5830,000 |
1000 | $11,450 | $11450,000 |
En stock: 9 967 PC
APT10045B2FLLG Description générale
Power MOS 8™ is a family of high speed, high voltage (500-1200 V) N-channel switch-mode power transistors with lower EMI characteristics and lower cost compared to previous generation devices. These MOSFETs / FREDFETs have been optimized for both hard and soft switching in high frequency, high voltage applications rated above 500 W.
The Power MOS 8™ series is a result of extensive research into quiet switching. Input and reverse transfer capacitance values as well as their ratio were set at specific values to achieve quiet switching with minimal switching loss. The Power MOS 8™ series of devices are inherently quiet switching, stable when connected in parallel, very efficient, and lower cost than previous
generations.
Power MOS 7® is a family of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds.
Power MOS V® can still provide the best trade-off between performance and cost in some applications. Power MOS V® utilizes a low resistance aluminum metal gate structure. This allows for faster gate signal propagation than is possible with conventional polysilicon gate structures. The result is extremely low internal chip equivalent gate resistances (EGR) that are up to an order of
magnitude lower than competitive devices which enables uniform high speed switching across the entire chip.
Body Diode Options
MOSFETs and FREDFETs are available in all voltage ratings. A FREDFET is a MOSFET with a faster recovery intrinsic body diode. This results in improved reliability in ZVS circuits due to shorter minority carrier lifetime and increased commutation dv/dt ruggedness. If a fast recovery body diode is not needed, MOSFET versions are available.
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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