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NXP BUK9Y21-40E

Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: NXP Semiconductor

Pièce Fabricant #: BUK9Y21-40E

Fiche de données: BUK9Y21-40E Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-669-5

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 2947 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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BUK9Y21-40E Description générale

Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.

buk9y2140e

Caractéristiques

  • Q101 compliant
  • Repetitive avalanche rated
  • Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
  • True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5 V at 175 °C
buk9y2140e

Application

  • 12 V Automotive systems
  • Motors, lamps and solenoid control
  • Transmission control
  • Ultra high performance power switching

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Pin Count 6 Package Category Other
Released Date Jul 8, 2022

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The BUK9Y21-40E chip is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) device designed for power management applications. It operates as an N-channel enhancement mode transistor with a voltage rating of 40V and a continuous drain current of 44A. The chip offers low on-state resistance, fast switching capabilities, and excellent thermal performance, making it suitable for various power conversion and control circuits in automotive, industrial, and consumer electronics applications.
  • Features

    The BUK9Y21-40E is a N-channel enhancement mode MOSFET with a low on-resistance of 0.04Ω, capable of handling a drain current up to 110A. It has a gate threshold voltage of 2.5V and a maximum drain-source voltage of 40V. It is designed for use in a wide range of applications, including power management and motor control.
  • Pinout

    The BUK9Y21-40E is a discrete N-channel power MOSFET transistor with a TO-263 (D2Pak) package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BUK9Y21-40E is ROHM Semiconductor. It is a Japanese semiconductor and electronic components company that specializes in the design and production of integrated circuits, transistors, diodes, and other electronic components.
  • Application Field

    The BUK9Y21-40E is a N-channel enhancement mode MOSFET designed for high voltage power applications. It is commonly used in various industries for applications such as motor control, power supplies, lighting, and industrial automation.
  • Package

    The BUK9Y21-40E is packaged in a TO-263 form, which is also known as D2PAK. The package size is approximately 10.4mm x 17.2mm x 5.5mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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