Commandes de plus de
$5000CM200DY-24NF
Transistor IGBT Module
Marques: Mitsubishi Electric
Pièce Fabricant #: CM200DY-24NF
Fiche de données: CM200DY-24NF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: Module
Statut RoHS:
État des stocks: 8 972 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CM200DY-24NF Description générale
The CM200DY-24NF is a power module from Powerex that consists of two IGBT modules rated at 200A and 1200V each. This module is designed for use in high power applications such as motor drives, welding systems, and renewable energy systems. The CM200DY-24NF features a compact and rugged design that allows for easy integration into existing systems. It also has a low thermal resistance, which helps to improve efficiency and reliability. The module is equipped with a built-in temperature sensor that helps prevent overheating and ensures the module operates within safe operating limits.This power module is insulated with a ceramic substrate that provides excellent electrical insulation and thermal conductivity. It also has integrated flyback diodes that protect against voltage spikes and ensure smooth operation. The module is designed to operate in a wide temperature range, from -40°C to 125°C, making it suitable for use in harsh environments.
Caractéristiques
- High power insulated package
- Low VCE(sat) thick AlN ceramic substratePower cycling capabilityUL recognized, file no. E-60700UL file No. E223674 for Photovoltaic applications and Motor drives enough creepage distanceRoHS compliantType: IGBT moduleVoltage: 1200VCurrent: 200APackage: Module
Application
- Industrial motor drives
- Power supplies
- Wind energy systems
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Electric vehicles (EVs) and hybrid electric vehicles (HEVs)
- Power factor correction (PFC) systems
- Telecommunication systems
- High-frequency induction heating systems
- Medical equipment
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Dual |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 200 A | Gate-Emitter Leakage Current | 500 nA |
Pd - Power Dissipation | 1.13 kW | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | Mitsubishi Electric |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | Mounting Style | Screw Mount |
Product Type | IGBT Modules | Factory Pack Quantity | 10 |
Subcategory | IGBTs |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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