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TOSHIBA GT30J322

IGBT Transistors 3PNIS IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Toshiba

Pièce Fabricant #: GT30J322

Fiche de données: GT30J322 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-3P(N)IS-3

type de produit: IGBT Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 9458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour GT30J322 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

Caractéristiques

Toshiba Inventory

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category IGBT Transistors Technology Si
Package / Case TO-3P(N)IS-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Maximum Operating Temperature + 150 C
Series GT30J322 Brand Toshiba
Continuous Collector Current Ic Max 30 A Height 21 mm
Length 15.8 mm Product Type IGBT Transistors
Subcategory IGBTs

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The GT30J322 chip is a high-speed, high-voltage power transistor designed for power amplification. It utilizes advanced MOSFET technology, allowing for efficient operation at high frequencies. This chip is commonly used in audio amplifiers and other high-power applications, providing high voltage capability and low distortion.
  • Equivalent

    The equivalent products of the GT30J322 chip include INSX30J322, 2SJ322, QJ8050J322, and NTE2397. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the GT30J322.
  • Features

    The GT30J322 is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that offers high-current capability, low on-resistance, and a fast switching speed. It is specifically designed for high-frequency power amplifier applications, making it suitable for use in audio amplifiers, communication equipment, and other high-power electronic devices.
  • Pinout

    The GT30J322 is a 600V insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a TO-220 package. It has a pin count of 3. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is the emitter, Pin 2 is the collector, and Pin 3 is the gate.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the GT30J322 is Toshiba Corporation. Toshiba is a multinational conglomerate company based in Japan. It specializes in various products and services, including electronics, semiconductors, home appliances, information technology, and more.
  • Application Field

    The GT30J322 is a power MOSFET transistor with high voltage capability and low switching losses. It can be used in various applications, including power supplies, motor control, audio amplifiers, and electronic ballasts.
  • Package

    The GT30J322 chip is an N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. It is available in a 7 pin Mini Mold type package. The dimensions of the package are typically around 23.3mm x 42.1mm x 4.5mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

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