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$5000IDT06S60C
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode with 600V rating, part of the next generation ThinQ product line
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IDT06S60C
Fiche de données: IDT06S60C Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220
type de produit: Single Diodes
Statut RoHS:
État des stocks: 8 715 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IDT06S60C Description générale
Designed for use in advanced electronics and power systems, the IDT06S60C is a cutting-edge solution for demanding applications. Its thinQ technology allows for minimal space requirements and enhanced efficiency, making it ideal for space-constrained designs
Caractéristiques
- Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
- Switching behavior benchmark
- No reverse recovery/ No forward recovery
- No temperature influence on the switching behavior
- High surge current capability
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Qualified according to JEDEC1) for target applications
- Breakdown voltage tested at 5mA2)
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | thinQ!™ | Package | Bulk |
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 80 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr, F | 280pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IDT06S60C is a high-efficiency, ultra-low-loss power MOSFET used in various power management applications. It offers a low on-state resistance and superior switching performance, making it an ideal choice for high-frequency power conversion systems. The chip is suitable for use in power supplies, motor control, and LED lighting applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the IDT06S60C chip include Infineon's IPB06N03LA, NXP's PSMN050-100MSE, and Vishay's SiHP6N90E. These are power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics suitable for various power management applications. -
Features
IDT06S60C is a 600V high-speed IGBT with ultrafast soft recovery diode. It features low VCE(on) to minimize conduction losses, high-speed switching capabilities, and high thermal performance. This device is suitable for applications where high efficiency and reliability are critical, such as motor control and power inverters. -
Pinout
The IDT06S60C is a 6-bit programmable delay line with an input clock frequency of 5 GHz. It has a pin count of 62 pins and is used to provide precise time delays in high-speed digital systems for signal synchronization and alignment. -
Manufacturer
The IDT06S60C is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that specializes in producing power semiconductors, microcontrollers, and sensors. They are known for their high-quality and innovative products that are used in various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IDT06S60C is commonly used in power electronic applications such as motor drives, solar inverters, UPS systems, and industrial automation. Its high power density, efficiency, and reliability make it ideal for high-performance applications that require precise control and dynamic response. -
Package
The IDT06S60C chip comes in a TO-220AB package type, with a form of through hole mounting. The size of the chip is approximately 10.4mm x 4.6mm x 6.6mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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