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ISL9R3060P2

The ISL9R3060P2 product is a high-performance diode designed for applications requiring up to 30A and 600V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: ISL9R3060P2

Fiche de données: ISL9R3060P2 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-220-2

type de produit: Single Diodes

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour ISL9R3060P2 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

ISL9R3060P2 Description générale

Introducing the ISL9R3060P2, the ultimate STEALTH™ diode designed to excel in high frequency hard switched applications. With a focus on low loss performance, this diode stands out for its low reverse recovery current (IRR) and remarkably soft recovery capabilities. Ideal for use as a free wheeling or boost diode in power supplies and power switching applications, it effectively reduces loss in switching transistors. The diode's soft recovery also minimizes ringing, allowing for a wider range of operational conditions without the need for additional snubber circuitry. For the most efficient and highest power density design at a lower cost, consider combining this STEALTH™ diode with an SMPS IGBT

Caractéristiques

  • Low capacitance cj = 200pF (@VR=600V)
  • High voltage rating up to 600V DC
  • Fast recovery time tr = 30ns (@IF=30A)
  • Avalanche energy rated for high surge currents
  • UL recognized and AEC-Q101 qualified

Application

  • Portable External Hard Drive
  • Sleek LED TV
  • Compact Digital Camera

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category Diodes - General Purpose, Power, Switching RoHS Details
REACH Details Product Switching Diodes
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-220-2
Peak Reverse Voltage 600 V Max Surge Current 325 A
If - Forward Current 30 A Configuration Single
Recovery Time 45 ns Vf - Forward Voltage 2.4 V
Ir - Reverse Current 100 uA Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Series ISL9R3060P2
Brand onsemi / Fairchild Height 9.65 mm
Length 10.67 mm Product Type Diodes - General Purpose, Power, Switching
Factory Pack Quantity 800 Subcategory Diodes & Rectifiers
Tradename STEALTH Type Switching Diode
Vr - Reverse Voltage 600 V Width 4.83 mm
Part # Aliases ISL9R3060P2_NL

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The ISL9R3060P2 is a 600V single RENESAS Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high efficiency and reliability in motor control and power conversion applications. With its low saturation voltage and rugged construction, this chip is ideal for use in industrial and automotive systems.
  • Equivalent

    Some equivalent products of ISL9R3060P2 chip are Infineon 1SP0695V2M2R, Vishay IRG4BC20FD, and ON Semiconductor FCPF600N65S3L4. These chips are also MOSFET transistors commonly used in power electronics applications.
  • Features

    The ISL9R3060P2 is a Power MOSFET designed for high-efficiency DC/DC converters, synchronous rectification, and motor control applications. It features a low on-resistance, low gate charge, and a fast switching speed for improved performance in power applications. It also has a low-voltage drive capability for easier control.
  • Pinout

    The ISL9R3060P2 is a 3-phase bridge rectifier with a pin count of 5. It is used for converting AC voltage into DC voltage in industrial and automotive applications. It has a maximum output current of 30A and a maximum repetitive peak reverse voltage of 600V.
  • Manufacturer

    ISL9R3060P2 is manufactured by Infineon Technologies AG. It is a multinational semiconductor manufacturer specializing in the production of power semiconductors, sensors, and microcontrollers for automotive, industrial, and consumer electronics applications. They provide solutions for efficient energy management, mobility, and security, among other areas.
  • Application Field

    ISL9R3060P2 is a 600V low side GaN FET driver designed for high density power supplies, telecom and server power supplies, high performance DC-DC converters, and Class D audio amplifiers. It provides high efficiency, faster switching speed, and lower losses compared to traditional silicon-based solutions, making it ideal for applications requiring high power density and efficiency.
  • Package

    The ISL9R3060P2 is a TO-220AB packaged chip with a surface mount form. It has a size of 10.3mm x 16.25mm x 4.6mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

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