Commandes de plus de
$5000NID5001NT4G
Advanced Power Management Technology for Reliable Performan
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Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: NID5001NT4G
Fiche de données: NID5001NT4G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
type de produit: Power Distribution Switches, Load Drivers
Statut RoHS:
État des stocks: 8 561 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NID5001NT4G Description générale
The NID5001NT4G is a cutting-edge power MOSFET from ON Semiconductor, designed to deliver superior performance and reliability. Utilizing the latest MOSFET technology process, this device offers the lowest on-resistance per silicon area, ensuring efficient power management in various applications. The integrated thermal and current limits provide short circuit protection, guaranteeing the safety of the system. Additionally, the Drain-to-Gate Clamp feature enables the MOSFET to withstand high-energy avalanche conditions, offering an extra layer of protection against voltage transients. With built-in ESD protection through the Gate-to-Source clamp, the NID5001NT4G ensures robustness and durability in challenging operating environments
Caractéristiques
- NID5001NT4G ensures reliable connectivity
- Support for industrial protocols like EtherNet/IP, Modbus TCP/IP and more
- Ruggedized design for harsh environments
- DIN rail mounting for easy installation
- Wide operating temperature range from -40°C to 85°C
- Made for industrial applications with high reliability and stability
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 42 V | Id - Continuous Drain Current | 33 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 23 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 14 V, + 14 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 64 W | Channel Mode | Enhancement |
Series | NID5001N | Brand | onsemi |
Configuration | Single | Height | 2.38 mm |
Length | 6.73 mm | Product Type | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Width | 6.22 mm |
Unit Weight | 0.011640 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
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