Commandes de plus de
$5000SPANSION S29CD016G
16 Megabit(512 K x 32-Bit)CMOS2.5Volt-onlyBurstMode,DualBoot,SimultaneousRead/WriteFlashMemory
Marques: SPANSION
Pièce Fabricant #: S29CD016G
Fiche de données: S29CD016G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: QFP
type de produit: Flash Memories
Statut RoHS:
État des stocks: 6 554 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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S29CD016G Description générale
General DescriptionThe S29CD-G Flash Family is a burst mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write family of Flash Memory with VersatileI/O™ manufactured on 170 nm Process Technology.Distinctive CharacteristicsArchitecture Advantages■ Simultaneous Read/Write operations — Read data from one bank while executing erase/ program functions in other bank — Zero latency between read and write operations — Two bank architecture: large bank/small bank 75%/25%■ User-Defined x32 Data Bus■ Dual Boot Block — Top and bottom boot sectors in the same device■ Flexible sector architecture — CD032G: Eight 2K Double Word, Sixty-two 16K Double Word, and Eight 2K Double Word sectors — CD016G: Eight 2K Double Word, Thirty-two 16K Double Word, and Eight 2K Double Word sectors■ Secured Silicon Sector (256 Bytes) — Factory locked and identifiable: 16 bytes for secure, random factory Electronic Serial Number; Also know as Electronic Marking■ Manufactured on 170 nm Process Technology■ Programmable Burst interface — Interfaces to any high performance processor — Linear Burst Read Operation: 2, 4, and 8 double word linear burst with or without wrap around■ Program Operation — Performs synchronous and asynchronous write operations of burst configuration register settings independently■ Single power supply operation — Optimized for 2.5 to 2.75 volt read, erase, and program operations■ Compatibility with JEDEC standards (JC42.4) — Software compatible with single-power supply Flash — Backward-compatible with AMD/Fujitsu Am29LV/ MBM29LV and Am29F/MBM29F flash memoriesPerformance Characteristics■ High performance read access — Initial/random access times of 48 ns (32 Mb) and 54 ns (16 Mb) — Burst access times of 7.5 ns (32 Mb) or 9 ns (16Mb)■ Ultra low power consumption — Burst Mode Read: 90 mA @ 75 MHz max — Program/Erase: 50 mA max — Standby mode: CMOS: 60 µA max■ 1 million write cycles per sector typical■ 20 year data retention typical■ VersatileI/O™ control — Generates data output voltages and tolerates data input voltages as determined by the voltage on the VIO pin — 1.65 V to 3.60 V compatible I/O signalsSoftware Features■ Persistent Sector Protection — Locks combinations of individual sectors and sector groups to prevent program or erase operations within that sector (requires only VCC levels)■ Password Sector Protection — Locks combinations of individual sectors and sector groups to prevent program or erase operations within that sector using a user-definable 64-bit password■ Supports Common Flash Interface (CFI)■ Unlock Bypass Program Command — Reduces overall programming time when issuing multiple program command sequences■ Data# Polling and toggle bits — Provides a software method of detecting program or erase operation completionHardware Features■ Program Suspend/Resume & Erase Suspend/ Resume — Suspends program or erase operations to allow reading, programming, or erasing in same bank■ Hardware Reset (RESET#), Ready/Busy# (RY/ BY#), and Write Protect (WP#) inputs■ ACC input — Accelerates programming time for higher throughput during system production■ Package options — 80-pin PQFP — 80-ball Fortified BGA — Pb-free package option also available — Known Good Die
Expédition
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Paiement
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
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