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ST STGWA50M65DF2
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss
Marques: Stmicroelectronics
Pièce Fabricant #: STGWA50M65DF2
Fiche de données: STGWA50M65DF2 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-247 long leads
Statut RoHS:
État des stocks: 2800 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $4,924 | $4,924 |
| 10 | $4,300 | $43,000 |
| 30 | $3,929 | $117,870 |
| 90 | $3,555 | $319,950 |
| 510 | $3,381 | $1724,310 |
| 990 | $3,304 | $3270,960 |
In Stock:2800 PCS
STGWA50M65DF2 Description générale
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Caractéristiques
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- 6 μs of minimum short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 50 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Soft- and fast-recovery antiparallel diode
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Operating Temp Min Celsius | -55.0 | Operating Temp Max Celsius | 175.0 |
| ECCN US | EAR99 | ECCN EU | NEC |
| Packing Type | Tube | RoHs compliant | Ecopack2 |
| Grade | Industrial |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STGWA50M65DF2 chip is a high-power wideband RF GaN transistor designed for use in wireless communication systems. It offers a maximum output power of 50W and operates in a frequency range of 0.4 to 2.7 GHz. The chip features high gain, excellent linearity, and low thermal resistance, making it suitable for applications such as power amplifiers in base stations, small cells, and repeaters.
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Equivalent
There are no directly equivalent products to the STGWA50M65DF2 chip. However, there are other MOSFET chips available from different manufacturers that may offer similar specifications and features. These include chips from companies such as Infineon, Toshiba, and Texas Instruments, which can be explored as potential alternatives. -
Features
The STGWA50M65DF2 features a low on-state resistance, high switching capability, and a compact package design. It is a 650V silicon carbide trench MOSFET with a maximum current rating of 75A, making it suitable for power electronics applications such as industrial motor drives, electric vehicle charging systems, and renewable energy inverters. -
Pinout
The STGWA50M65DF2 has a pin count of 11 and functions as a high voltage module for power applications. It is designed for implementation in a wide range of power conversion circuits such as motor control, inverters, and switching power supplies. -
Manufacturer
The manufacturer of the STGWA50M65DF2 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets a wide range of semiconductor products, including microcontrollers, integrated circuits, sensors, power management, and more. -
Application Field
The STGWA50M65DF2 is a power semiconductor module commonly used in applications such as industrial motor drives, renewable energy systems, and electric vehicle powertrain solutions. It offers high power density, low conduction and switching losses, and efficient thermal management, making it suitable for demanding applications requiring high-performance and energy efficiency. -
Package
The STGWA50M65DF2 chip has a package type of PowerFLAT 8x8 HV, a form of MOSFET, and a size of 8mm x 8mm.
Fiche de données PDF
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