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$5000BSM100GB120DN2K
Power Semiconductor Device"
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSM100GB120DN2K
Fiche de données: BSM100GB120DN2K Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: Half Bridge1
Statut RoHS:
État des stocks: 5 569 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $245,935 | $245,935 |
200 | $95,174 | $19034,800 |
500 | $91,830 | $45915,000 |
1000 | $90,176 | $90176,000 |
En stock: 5 569 PC
BSM100GB120DN2K Description générale
The BSM100GB120DN2K is a power module from Infineon Technologies designed for use in industrial applications. It is a 1200V, 100A dual-channel IGBT module with an integrated driver stage, making it a compact and efficient solution for high-power applications.The module features a compact and robust design, with a low thermal resistance for improved heat dissipation. It also has an advanced power semiconductor technology that allows for high switching frequencies and low losses, resulting in high efficiency and reliability.The BSM100GB120DN2K is designed for easy integration into existing systems, with a variety of protection features such as short circuit and over-temperature protection. It also has a built-in temperature sensor for efficient thermal management.This power module is suitable for a wide range of industrial applications, including motor control, renewable energy systems, and power supplies. It offers high power density, fast switching speeds, and low conduction losses, making it ideal for high-performance applications that require high efficiency and reliability.
Caractéristiques
- Module Type: IGBT
- Configuration: Dual
- Current Rating: 100A
- Voltage Rating: 1200V
- Package: Module
- Mounting Type: Chassis Mount
- Applications: Inverters, Motor Drives, Power Supplies
- Manufacturer: Infineon
Application
- Renewable energy systems
- Electric vehicles
- Industrial motor drives
- Pulse power applications
- UPS and energy storage systems
- Power supplies
- Welding equipment
- Induction heating systems
- Medical equipment
- Grid-tied inverters
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Modules | RoHS | N |
Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Half Bridge |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 145 A | Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA |
Pd - Power Dissipation | 700 W | Package / Case | Half Bridge1 |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Brand | Infineon Technologies | Height | 30.5 mm |
Length | 94 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
Technology | Si | Width | 34 mm |
Part # Aliases | SP000101733 BSM100GB120DN2KHOSA1 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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