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BSS123LT1G
N-Type Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor rated for 100V and 170mA
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: BSS123LT1G
Fiche de données: BSS123LT1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 819 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,085 | $0,425 |
| 50 | $0,070 | $3,500 |
| 150 | $0,062 | $9,300 |
| 500 | $0,055 | $27,500 |
| 3000 | $0,046 | $138,000 |
| 6000 | $0,044 | $264,000 |
En stock: 9 819 PC
BSS123LT1G Description générale
The BSS123LT1G MOSFET is a small signal transistor designed for use in electronic circuits requiring low power consumption and high efficiency. With a drain source voltage of 100V and a continuous drain current of 170mA, this N-channel transistor delivers reliable performance in a compact SOT-23 package. Its low on resistance of 6ohm and threshold voltage of 800mV make it ideal for use in applications where space is limited and energy efficiency is essential. Whether used in switching power supplies, voltage regulators, or motor control circuits, the BSS123LT1G MOSFET offers dependable operation and consistent performance
Caractéristiques
- Precise Quality Control Measures
- Made with Recyclable Materials Only
- Compliant with REACH Regulations
Application
- Essential for any project
- Trustworthy and efficient
- Works well in all situations
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-23-3 | Case Outline | 318-08 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 100 |
| VGS Max (V) | 20 | VGS(th) Max (V) | 2.8 |
| ID Max (A) | 0.17 | PD Max (W) | 0.225 |
| RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 6000 | Ciss Typ (pF) | 20 |
| Pricing ($/Unit) | $0.0357Sample |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSS123LT1G is a small-signal MOSFET transistor chip. It is designed for low voltage applications and can be used as a switch or amplifier in various electronic circuits. It features low on-state resistance, low threshold voltage, and fast switching speed. The chip's compact size and excellent performance make it suitable for use in portable devices, battery-powered equipment, and other low voltage applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSS123LT1G chip include BSS123L, BSS123W, BSS123WT1G, and BSS123W-7-F. These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and characteristics to the BSS123LT1G chip. -
Features
The BSS123LT1G is a small signal MOSFET transistor. It has a low voltage and low on-resistance, making it suitable for low-power applications. It also has a small package size, allowing for space-saving designs. -
Pinout
The BSS123LT1G is a MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the current flow between the Drain and Source pins. It is commonly used for switching applications in low-voltage circuits. -
Manufacturer
The BSS123LT1G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that designs and produces a wide range of semiconductor components, including integrated circuits, diodes, transistors, and more. They primarily serve the automotive, industrial, consumer electronics, and communication sectors. -
Application Field
The BSS123LT1G is a small signal MOSFET transistor that can be used in a variety of applications, including switching circuits, low power amplifiers, and voltage-controlled oscillators. Its compact size and low power consumption make it ideal for portable electronics, automotive systems, and other low-voltage applications. -
Package
The BSS123LT1G chip has a Surface Mount Technology (SMT) package type, specifically a Thin Small Outline Package (TSOP-3) form. As for its size, it measures approximately 2.8mm x 1.8mm.
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