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$5000TI CSD18532Q5BT
N-Channel 60 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Marques: Texas Instruments
Pièce Fabricant #: CSD18532Q5BT
Fiche de données: CSD18532Q5BT Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: VSON-CLIP (DNK)-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 286 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CSD18532Q5BT Description générale
N-Channel 60 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Caractéristiques
- Outstanding Thermal Shock Resistance
- Durable Construction with High-Reliability Materials
- Fault-Tolerant Design for Enhanced System Uptime
- Precise Timing and Synchronization Capabilities
- Achieves Low Power Consumption and High Efficiency
- Extremely High-Frequency Response Capability
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Texas Instruments | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | REACH | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSON-CLIP-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 3.3 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Qg - Gate Charge | 58 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 156 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | NexFET |
| Series | CSD18532Q5B | Brand | Texas Instruments |
| Configuration | Single | Fall Time | 3.1 ns |
| Forward Transconductance - Min | 143 S | Height | 1 mm |
| Length | 6 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 7.2 ns | Factory Pack Quantity | 250 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5.8 ns |
| Width | 5 mm | Unit Weight | 0.004727 oz |
| VDS (V) | 60 | Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 4.3 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 3.2 | IDM - pulsed drain current (max) (A) | 400 |
| QG (typ) (nC) | 44 | QGD (typ) (nC) | 6.9 |
| QGS (typ) (nC) | 10 | VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.8 | ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 172 |
| ID - package limited (A) | 100 | Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The CSD18532Q5BT chip is a power stage device used in automotive applications, such as electric power steering systems and the control of solenoid valves. It is designed to deliver high current and efficiency while minimizing power losses. The chip offers protection features such as overcurrent, over-temperature, and short-circuit protection. It also includes a diagnostic mode for system monitoring and fault detection.
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Equivalent
There are no direct equivalent products for the CSD18532Q5BT chip from Texas Instruments. However, similar power MOSFETs from other manufacturers like Infineon, STMicroelectronics, or Vishay can be considered as alternatives based on the specific requirements and application of the chip. -
Features
CSD18532Q5BT is a 40V N-channel NexFET™ power MOSFET with a low on-resistance. It has a low input capacitance, optimized switching performance, and enhanced thermal performance. The device is suitable for a wide range of applications including power supplies, motor drives, and load switches. -
Pinout
The CSD18532Q5BT has a pin count of 5. Its function is a 40 V N-channel NexFET power MOSFET designed for high efficiency power management applications. -
Manufacturer
Texas Instruments is the manufacturer of the CSD18532Q5BT. It is an American semiconductor company involved in designing and manufacturing a wide range of integrated circuits and embedded processors. -
Application Field
The CSD18532Q5BT is a high voltage power MOSFET designed for switching applications in power supplies, motor controls, and industrial equipment. It is commonly used in low-side and high-side load switches, motor drivers, and power management circuits. -
Package
The CSD18532Q5BT chip is in a package type known as Dual-FET SON (DFN) package. It is in a form of a small square with a dimension of approximately 3mm x 3mm.
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