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$5000TI CSD19532Q5BT
VSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS, designated as product CSD19532Q5BT, is recognized for its efficiency and reliability in electronic applications
Marques: Texas Instruments
Pièce Fabricant #: CSD19532Q5BT
Fiche de données: CSD19532Q5BT Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: VSON-CLIP-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 250 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CSD19532Q5BT Description générale
The CSD19532Q5BT from Texas Instruments is a dual N-channel NexFET power MOSFET that offers high efficiency and reliability for a wide range of power management applications. With a low on-state resistance of 30mΩ at 10V gate drive, this MOSFET allows for minimal power dissipation and the capability to handle high currents, making it ideal for demanding systems in telecom, computing, industrial, and consumer electronics
Caractéristiques
- Compact design for small spaces
- Ergonomic handle for comfortable grip
- Fast charging capability ensured
- Lithium-ion battery for high capacity
- User-friendly interface for easy operation
- Durable construction for long lifespan
Application
- Custom sound systems
- Wireless headphones
- Bluetooth speakers
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.9 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.6 V | Qg - Gate Charge | 48 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | NexFET | Series | CSD19532Q5B |
| Brand | Texas Instruments | Configuration | Single |
| Fall Time | 6 ns | Forward Transconductance - Min | 84 S |
| Height | 1 mm | Length | 6 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 6 ns |
| Factory Pack Quantity | 250 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | Width | 5 mm |
| Unit Weight | 0.003714 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The CSD19532Q5BT chip is a multi-function power management integrated circuit (PMIC) developed by Texas Instruments. It includes features like voltage regulators, load switches, and battery chargers, making it suitable for use in a wide range of portable electronic devices. The chip provides efficient power management and helps extend battery life, making it a popular choice in the industry.
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Equivalent
Some equivalent products of the CSD19532Q5BT chip include the CSD18532Q5BT and the CSD18534Q5B. -
Features
The CSD19532Q5BT is a NexFET Power Stage for high-current applications. It features optimized efficiency, low switching losses, compact footprint, and reliable operation. It also has a wide input voltage range, high current capability, and integrated protection features such as thermal shutdown and overcurrent protection. -
Pinout
The CSD19532Q5BT is a 5V, N-channel NexFET power MOSFET. It has a pin count of 8 pins, including the gate, drain, and source pins. The function of this device is to switch and control high power loads in various applications such as power supplies, motor drives, and DC-DC converters. -
Manufacturer
The manufacturer of the CSD19532Q5BT is Texas Instruments. Texas Instruments is a multinational semiconductor company that designs and manufactures a wide range of integrated circuits and electronic devices. -
Application Field
The CSD19532Q5BT is a power stage IC, typically used in motor control applications such as industrial automation, robotics, and automotive systems. It offers protection features like overcurrent and overtemperature protection, making it suitable for demanding environments where high power and efficient motor control are required. -
Package
The CSD19532Q5BT chip is packaged in a small outline no-lead (SON) package. It has a form factor of a quad flat no-lead (QFN) and a size of 3mm x 3mm.
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