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Commandes de plus de
$5000DIODES DMN2005LP4K
Power transistor
Marques: DIODES
Pièce Fabricant #: DMN2005LP4K
Fiche de données: DMN2005LP4K Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: X2-DFN1006-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 967 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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DMN2005LP4K Description générale
Features• Low On-Resistance• Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max.• Fast Switching Speed• Low Input/Output Leakage• Ultra-Small Surface Mount Package• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)• ESD Protected Gate• Ultra Low Profile Package• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Caractéristiques
- Low On-Resistance
- Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V max
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Ultra-Small Surface-Mount Package
- ESD Protected Gate
- Ultra Low Profile Package
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- For automotive applications requiring specific change control (i.e.: parts qualified to AEC-Q100/101/104/200, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities), please refer to the related automotive grade (Q-suffix) part. A listing can be found at https://www.diodes.com/products/automotive/automotiveproducts/.
- This part is qualified to JEDEC standards (as references in AEC-Q) for High Reliability. https://www.diodes.com/quality/product-definitions/
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V |
| Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW | Channel Mode | Enhancement |
| Series | DMN2005L | Brand | Diodes Incorporated |
| Configuration | Single | Height | 0.35 mm |
| Length | 1 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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