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DIODES DMN26D0UFB4

MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: DIODES

Pièce Fabricant #: DMN26D0UFB4

Fiche de données: DMN26D0UFB4 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOD523

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 6 330 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour DMN26D0UFB4 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

DMN26D0UFB4 Description générale

DescriptionThis new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.Features and Benefits• N-Channel MOSFET• Low On-Resistance• Very Low Gate Threshold Voltage• Low Input Capacitance• Fast Switching Speed• Low Input/Output Leakage• Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package   Height• ESD Protected Gate• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)• For automotive applications requiring specific change control   (i.e.: parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and   manufactured in IATF 16949 certified facilities), please refer   to the related automotive grade (Q-suffix) part. A listing can   be found at   https://www.diodes.com/products/automotive/automotive-products/.• This part is qualified to JEDEC standards (as references in   AEC-Q) for High Reliability.   https://www.diodes.com/quality/product-definitions/Applications• DC-DC Converters• Power Management Functions

Caractéristiques

  • N-Channel MOSFET
  • Low On-Resistance
  • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max
  • Low Input Capacitance
  • Fast Switching Speed
  • Low Input/Output Leakage
  • Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package
  • Height
  • ESD Protected Gate
  • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
  • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs Mfr Diodes Incorporated
Series - Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Vgs (Max) ±10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14.1 pF @ 15 V
FET Feature - Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package X2-DFN1006-3 Package / Case 3-XFDFN
Base Product Number DMN26

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The DMN26D0UFB4 is a high-speed, low-power dual N-channel MOSFET chip, designed for use in power management applications. It features a compact size, high efficiency, and superior performance, making it ideal for use in portable electronics, LED lighting, and other power-sensitive devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of the DMN26D0UFB4 chip include the DMN26D0LFB4, DMN26D0SFB4, and DMN26D0QFB4 chips. These chips have similar specifications and functionalities, making them suitable replacements for the DMN26D0UFB4 chip in various electronic devices.
  • Features

    DMN26D0UFB4 is a high-performance N-channel MOSFET with ultra-low on-resistance of 2.6mΩ and a maximum drain-source voltage of 30V. It is suitable for applications requiring high power efficiency in a compact package, such as power converters, motor control, and consumer electronics.
  • Pinout

    DMN26D0UFB4 is a 26-pin dual-row connector with a pitch of 0.8mm. It is commonly used for connecting power and data signals in electronic devices, such as smartphones and laptops. The pins provide functions for power delivery, data transfer, and communication between different components.
  • Manufacturer

    The manufacturer of DMN26D0UFB4 is Infineon Technologies. It is a German multinational corporation that designs and manufactures semiconductors and system solutions. Infineon Technologies operates in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics, providing a wide range of semiconductor products for different applications.
  • Application Field

    - Industrial automation - Robotics - Motion control - Factory automation - Power monitoring - Renewable energy - HVAC systems - Lighting control - Building automation - Smart grid applications
  • Package

    The DMN26D0UFB4 chip is in a surface mount package type, specifically a Power-SSO-12 form. It has dimensions of 6.6mm x 5.8mm x 1.9mm (L x W x H).

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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