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NXP FGH60N60UFD

IGBT, 600V, 20A, 1.8V, TO-247Low VCE(ON) Field Stop

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: FGH60N60UFD

Fiche de données: FGH60N60UFD Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-247

type de produit: Semi-conducteurs discrets

Statut RoHS:

État des stocks: 3129 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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FGH60N60UFD Description générale

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

fgh60n60ufd

Caractéristiques

  • High current capability
  • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.9V @ IC = 60A
  • High input impedance
  • Fast switching: EOFF =14uJ/A
  • RoHS compliant

Application

  • Energy Generation & Distribution

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category IGBT Transistors Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V
Brand onsemi Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 450

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FGH60N60UFD chip is a power semiconductor device designed for use in high-power applications such as motor drives, UPS systems, and induction heating. It offers low switching losses, high efficiency, and reliable performance. The chip features a 600V voltage rating and a maximum current rating of 60A, making it suitable for demanding industrial applications.
  • Equivalent

    Equivalent products of the FGH60N60UFD chip include IRG4BC40UD, STGW30NC60WD, and FGH60N60SMD. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the FGH60N60UFD in various applications.
  • Features

    - 600V, 60A field stop IGBT - Ultrafast diode - Low VCE(sat) for higher efficiency - High frequency operation - Diode soft recovery for reduced EMI - Low EMI due to short tail current - Positive temperature coefficient VCE(sat) - Pb-free lead plating - Halogen-free according to IEC 61249-2-21
  • Pinout

    The FGH60N60UFD is a 3-pin TO-247 package with two terminals for power connections (Source and Drain) and one terminal for the Gate. It is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for high-power switching applications with a voltage rating of 600V and a current rating of 60A.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the FGH60N60UFD. They are a leading semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions for applications in automotive, industrial, communication, and consumer electronics markets. They specialize in power management, microcontrollers, and sensor solutions.
  • Application Field

    The FGH60N60UFD is a high-power IGBT designed for applications such as motor control, inverters, UPS systems, and welding equipment. It can also be used in renewable energy systems, such as solar inverters and wind turbine converters. Its fast switching speeds and high power handling capabilities make it suitable for a wide range of power electronics applications.
  • Package

    The FGH60N60UFD chip is a IGBT module with a TO-247 package type. It has a single form factor with a size of 23.4mm x 27.6mm x 6.8mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire FGH60N60UFD PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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