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$5000Infineon IAUS300N08S5N012ATMA1
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IAUS300N08S5N012ATMA1
Fiche de données: IAUS300N08S5N012ATMA1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: HSOG-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IAUS300N08S5N012ATMA1 Description générale
Infineon Technologies presents the IAUS300N08S5N012ATMA1 diode module as part of its EconoDUAL3 family of products, specifically designed for high-power applications that demand efficiency and reliability. With a current rating of 300A and a voltage rating of 1200V, this module is ideal for use in industrial drives, renewable energy systems, and traction applications. Its N-channel IGBT technology enables low conduction and switching losses, resulting in enhanced efficiency and reduced power dissipation. The module's standard EconoDUAL3 housing ensures excellent thermal performance and power density, making it a versatile solution for various power electronics applications. Moreover, the module incorporates several protection features such as short-circuit protection, over-temperature protection, and under-voltage lockout to guarantee safe and reliable operation in challenging environments. Additionally, the module complies with RoHS regulations, underscoring its commitment to environmental sustainability and regulatory compliance
Caractéristiques
- Series: CoolMOS S5
- Package/Case: TO-247-3
- MOSFET type: N-Channel
Application
- Next-gen automation
- High-performance tools
- Remote energy management
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | HSOG-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V | Id - Continuous Drain Current: | 300 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V | Qg - Gate Charge: | 231 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Packaging: | Cut Tape | Brand: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 55 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 19 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1800 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 69 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns | Part # Aliases: | IAUS300N08S5N012 SP001643336 |
| Unit Weight: | 0.027197 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IAUS300N08S5N012ATMA1 is a high-performance, power-efficient chip designed for use in mobile devices, such as smartphones and tablets. It features advanced technology for faster processing speeds and lower power consumption, making it ideal for demanding applications and multitasking. This chip offers a balance of performance and energy efficiency for improved user experience.
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Equivalent
The equivalent products of IAUS300N08S5N012ATMA1 chip are the NTR300N08T1G and NDP6020P. These are both N-channel power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. Part Number: IAUS300N08S5N012ATMA1 2. Current Rating: 300A 3. Voltage Rating: 800V 4. Package: S5 5. Configuration: Half Bridge 6. Application: Motor Control 7. Technology: Trench-Gate IGBT 8. Fast switching and high efficiency. -
Pinout
The IAUS300N08S5N012ATMA1 is a power IC with 12 pins. It is used for controlling and regulating power in automotive applications, specifically in brushless DC motor drives. Some of its functions include overcurrent protection, undervoltage lockout, and thermal shutdown to ensure safe and efficient operation. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of IAUS300N08S5N012ATMA1. It is a German semiconductor company that offers a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and other electronic components for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IAUS300N08S5N012ATMA1 is commonly used in power management applications, motor control, uninterruptible power supplies, and solar inverters. It is suitable for various industrial automation and robotics applications, as well as grid-tied inverters and industrial drives. The module's high power density and efficiency make it ideal for demanding power electronic systems. -
Package
The IAUS300N08S5N012ATMA1 chip is packaged in a surface mount TO-252-3 (DPAK) form with a size of 6.63mm x 9.6mm.
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