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$5000Infineon IRF6619
20V MOSFET with 2.2mΩ resistance at 30A
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IRF6619
Fiche de données: IRF6619 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DirectFET-MX
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF6619 Description générale
The IRF6619 is a power MOSFET transistor designed for high efficiency and high speed switching applications. It has a maximum drain-source voltage of 150V and a continuous drain current of 8.5A, making it suitable for a wide range of power conversion and motor control applications.This MOSFET features a low on-resistance of 0.047 ohms, which allows for efficient power conversion and reduced power losses. It also has a fast switching speed, with a typical turn-on time of 8.5ns and a turn-off time of 15ns, enabling high-speed switching operations.The IRF6619 has a TO-220 package, which provides good thermal performance and allows for easy mounting on a heatsink. It is also RoHS compliant, making it suitable for use in environmentally friendly applications.
Caractéristiques
- High frequency rugged N-channel MOSFET
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low gate charge
- Surface mount package
- Excellent thermal stability
- Low power loss
- Lead-free and RoHS compliant
- Designed for use in automotive and industrial applications
Application
- Motor control
- Power supplies
- Lighting
- Battery management systems
- Switching regulators
- DC-DC converters
- Electric vehicles
- Solar inverters
- Industrial automation
- Robotics
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | N |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DirectFET-MX | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 30 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 1.65 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.8 W |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single | Fall Time | 9.3 ns |
| Height | 0.7 mm | Length | 6.35 mm |
| Moisture Sensitive | Yes | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 71 ns | Factory Pack Quantity | 4800 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | DirectFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 21 ns | Width | 5.05 mm |
| Part # Aliases | SP001526848 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRF6619 is a dual N-Channel MOSFET chip designed for use in high-frequency switching applications. It is commonly used in power supply circuits, motor control systems, and DC-DC converters due to its low on-state resistance and high efficiency. The chip features a small package size and is ideal for space-constrained designs.
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Equivalent
Some equivalent products of IRF6619 chip are: 1. IRF3205 2. IRF640 3. IRF630 4. IRF740 5. IRF540 -
Features
IRF6619 is a N-channel power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V, drain current of 13A, and low on-resistance. It is designed for high-speed switching applications with low gate charge and reduced thermal resistance. This MOSFET also has a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
The IRF6619 is a dual N-channel power MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 and 2 are the gate connections for each MOSFET, pin 4 and 5 are source connections, and pin 3 and 6 are connected together and serve as the drain connection. Pin 7 is the substrate connection and pin 8 is the thermal pad. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRF6619 is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a multinational semiconductor manufacturer, specializing in the production of power semiconductors, microcontrollers, and sensor products. They provide solutions for automotive, industrial, communication, and consumer electronics markets. -
Application Field
The IRF6619 is commonly used in automotive applications, motor control circuits, power supplies, and LED lighting systems due to its high efficiency, low on-resistance, and fast switching capabilities. It is also suitable for battery chargers, DC-DC converters, and other power management applications where high power handling and reliable performance are required. -
Package
The IRF6619 chip is typically packaged in a standard TO-263 form. It comes in a single component package size with a weight of approximately 0.33 grams.
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