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$5000IDH05G120C5XKSA1
Diode 1200 V 5A Through Hole PG-TO220-2-1
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IDH05G120C5XKSA1
Fiche de données: IDH05G120C5XKSA1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-2
type de produit: Single Diodes
Statut RoHS:
État des stocks: 9 394 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IDH05G120C5XKSA1 Description générale
The IDH05G120C5XKSA1 is a high-performance rectifier diode featuring advanced Schottky technology. With a 1200V V(RRM) rating, this diode is designed for efficient power regulation in a variety of applications. The single-phase, single-element construction ensures reliable performance and easy integration into electronic circuits
Caractéristiques
- Vbr at 650V
- Improved Figure of Merit (Qc x Vf)
- No reverse recovery charge
- Soft switching reverse
- recovery waveform
- Temperature independent
- switching behavior
- High operating temperature
- (Tj max 175°C)
- Improved surge capability
- Pb-free lead plating
- 10 years manufacturing of SiC diodes
- Benefts
- Higher safety margin against
- Overvoltage; best match with
- CoolMOS™ 650V products
- Improved efciency over all
- load conditions
- Increased efciency compared to
- Silicon Diode alternatives
- Reduced EMI compared to snappier
- Silicon diode reverse recovery
- waveform
- Highly stable switching performance
- Reduced cooling requirements
- Reduced risks of thermal runaway
- RoHS compliant
- High quality know-how and capacity
- in SiC diode manufacture
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | CoolSiC™+ | Package | Tube |
| Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V | Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | 301pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IDH05G120C5XKSA1 is a high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for use in power electronic applications. It offers high switching speed, low on-state voltage, and high current-carrying capability, making it suitable for applications such as motor control, power supplies, and renewable energy systems.
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Equivalent
The equivalent products of the IDH05G120C5XKSA1 chip are the IDH05G120C5XKSA1-E6562 and IDH05G120C5XKSA1-SMD chips. These chips have similar functionality and can be used as replacements for the IDH05G120C5XKSA1 chip in various applications. -
Features
The IDH05G120C5XKSA1 is a high-performance IGBT module with a 1200V breakdown voltage, 100A current rating, and a compact design. It features low switching losses, high switching frequency capabilities, and reliable operation in various industrial applications such as motor control, inverters, and power supplies. -
Pinout
The IDH05G120C5XKSA1 is a 5-pin IGBT module. Pin functions typically include gate, collector, emitter, and sometimes auxiliary pins for feedback or temperature sensing. -
Manufacturer
The manufacturer of IDH05G120C5XKSA1 is Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor company specializing in power semiconductor technology. They design, manufacture, and sell a wide range of semiconductor products, including power modules, microcontrollers, and sensors. Infineon's products are used in various industries, such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IDH05G120C5XKSA1 is a high-power semiconductor module commonly used in industrial applications such as motor drives, power supplies, and renewable energy systems. It is also suitable for use in traction drives for electric vehicles, UPS systems, and welding equipment. -
Package
The IDH05G120C5XKSA1 chip is a IGBT module with a flat baseplate package, a module form, and a size of 5.5 mm x 5.2 mm x 4.7 mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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