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IDH10G65C5
SiC Schottky Rectifier Diode, 650V, 10A, TO-220 Encapsulation
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IDH10G65C5
Fiche de données: IDH10G65C5 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-2
Statut RoHS:
État des stocks: 8 971 pièces, nouveau original
type de produit: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $4,695 | $4,695 |
| 10 | $4,103 | $41,030 |
| 50 | $3,592 | $179,600 |
| 100 | $3,236 | $323,600 |
| 500 | $3,073 | $1536,500 |
| 1000 | $2,998 | $2998,000 |
En stock: 8 971 PC
IDH10G65C5 Description générale
Unleash the power of CoolSiC™ technology with the IDH10G65C5 Schottky diode series, designed to revolutionize power electronics. In a compact DPAK real2pin package, these diodes offer a 600V rating and 2A current capacity, setting a new standard for efficiency. By incorporating Infineon's state-of-the-art diffusion soldering process and thin wafer technology, this latest generation of diodes delivers superior thermal performance and a minimized figure of merit, ensuring optimal efficiency across all operating conditions
Caractéristiques
HIGH RELIABILITYCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | CoolSiC™+ | Package | Tube |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 340 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IDH10G65C5 is a high voltage insulated gate bipolar transistor chip, designed for use in power switching applications. It offers a maximum voltage rating of 650V and a current rating of 10A. The chip is capable of handling high power levels with minimal energy loss, making it ideal for various industrial and automotive applications.
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Equivalent
The equivalent products of IDH10G65C5 chip are Infineon IGBT modules such as IDH10G65C, IDH10G65C and also other IGBT modules from manufacturers like Mitsubishi, Fuji Electric, and Semikron, with similar voltage and current ratings. -
Features
The IDH10G65C5 is a high-performance insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a current rating of 100A and a voltage rating of 650V. It is designed for use in high-power applications such as motor drives, UPS systems, and renewable energy inverters. -
Pinout
The IDH10G65C5 is a high-speed, 10Gbps, 650V IGBT module with a 5th generation CSTBT chip. It has 10 pins, including gate, collector, and emitter connections, along with sense pins for monitoring current and temperature. This module is commonly used in motor drives, renewable energy systems, and industrial applications. -
Manufacturer
IDH10G65C5 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. The company produces a wide range of semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. Infineon is known for its innovative and high-quality products in the global semiconductor market. -
Application Field
IDH10G65C5 is commonly used in motor control, UPS systems, solar inverters, and welding machines. It is also ideal for electric vehicle charging, industrial drives, and power supplies due to its high efficiency and reliability in demanding applications. -
Package
The IDH10G65C5 chip is a D2PAK package type with a TO-263-2 form factor and a size of 10.2mm x 13.0mm.
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