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$5000IDH10G65C6XKSA1
Schottky SiC rectifier diode with 650V voltage rating and 24A current capacity in TO-220 package
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IDH10G65C6XKSA1
Fiche de données: IDH10G65C6XKSA1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO220-2
type de produit: Single Diodes
Statut RoHS:
État des stocks: 6 902 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IDH10G65C6XKSA1 Description générale
Diode 650 V 24A Through Hole PG-TO220-2
Caractéristiques
- Robust construction
- Safe and reliable operation
- Minimal maintenance required
- Long lifespan ensured
- Noise-free operation guaranteed
- Ergonomic design for comfort
Application
- Integrated solutions
- Customizable options
- Cost-effective choices
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 24A | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 420 V | Capacitance @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Base Product Number | IDH10G65 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IDH10G65C6XKSA1 chip is a high-power, high-frequency insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module designed for use in industrial applications such as power converters and motor control. It features a voltage rating of 650V, a current rating of 10A, and is equipped with a heat sink for efficient thermal management.
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Equivalent
The equivalent products of IDH10G65C6XKSA1 chip are IDH10G65C6XKSA2, IDH10G65C6XKSA3, and IDH10G65C6XKSA4. -
Features
1. 650V, 10A, Single Channel IGBT 2. High switching frequency capability 3. Low VCE(sat) 4. Low inductance VCE(sat) voltage overshoot during turn-off 5. Kelvin emitter for easy drive lossless gate configuration 6. RBSOA and SCSOA rated 7. 6th generation Trench IGBT technology 8. UL and RoHS compliant -
Pinout
The IDH10G65C6XKSA1 is a 65-pin high-speed digital Isolation device. It provides isolation for 10 channels, offering protection against high voltages and noise in communication systems. The device helps ensure signal integrity while reducing electromagnetic interference. -
Manufacturer
IDH10G65C6XKSA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and control electronics. They are known for producing a wide range of products including microcontrollers, power ICs, sensors, and automotive solutions. -
Application Field
IDH10G65C6XKSA1 is a high-voltage insulated-gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in industrial applications, such as motor control, renewable energy systems, and power supplies. Its high voltage and current capabilities make it suitable for demanding applications that require high power efficiency and reliability. -
Package
The IDH10G65C6XKSA1 chip comes in a module package type with a size of 47mm x 25mm. It is a high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in a 6th generation S-series IGBT form, capable of handling 1,200V and 20A.
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