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Infineon IKW40N120H3
High speed Trans IGBT Chip
Marques: INFINEON
Pièce Fabricant #: IKW40N120H3
Fiche de données: IKW40N120H3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $2,862 | $2,862 |
| 10 | $2,718 | $27,180 |
| 30 | $2,632 | $78,960 |
| 90 | $2,545 | $229,050 |
| 660 | $2,505 | $1653,300 |
| 990 | $2,486 | $2461,140 |
En stock: 9 458 PC
IKW40N120H3 Description générale
High speed 1200 V, 40 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT4 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| IC max | 80.0 A | ICpuls max | 160.0 A |
| IF max | 40.0 A | IFpuls max | 160.0 A |
| VCE max | 1200.0 V | Switching Frequency max | 100.0 kHz |
| Switching Frequency min | 20.0 kHz | Package | TO-247-3 |
| Switching Frequency | HighSpeed3 20-100 kHz | Technology | IGBT HighSpeed 3 |
| Ptot max | 483.0 W |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IKW40N120H3 is a high-performance IGBT semiconductor chip designed for use in power electronics applications. It is capable of handling high voltages and currents, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications. With its advanced features and reliable performance, the IKW40N120H3 chip is a popular choice for power conversion and motor control systems.
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Equivalent
The equivalent products of the IKW40N120H3 chip are the Infineon IHW40N120R3, the Vishay VS-SPB40-12, and the STMicroelectronics STW40N120K3. These products are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
IKW40N120H3 is a high-speed IGBT module with integrated anti-parallel diode. It has a low VCEsat for reduced conduction losses and a fast switching speed for improved efficiency. It also features high input impedance, low noise, and high ruggedness, making it ideal for use in various power electronic applications. -
Pinout
The IKW40N120H3 is a 40-pin insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module. It is primarily used for high-speed power switching applications in various electronic devices, such as electric vehicles and industrial motor control systems. The pin count is 40, and the functions include power switching and amplification. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of IKW40N120H3. It is a German semiconductor company that specializes in power management, RF power, sensor solutions, and automotive electronics. The company is a leading player in the global semiconductor industry, providing innovative solutions for a wide range of connected applications. -
Application Field
IKW40N120H3 is a high-efficiency MOSFET transistor commonly used in applications such as motor control, power supplies, renewable energy inverters, and industrial drives. It is suitable for high power density applications that require high-speed switching and low conduction losses, making it ideal for use in a wide range of power electronics systems. -
Package
The IKW40N120H3 chip is packaged in a TO-247 form with a size of 15.7mm x 20.0mm.
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