Commandes de plus de
$5000Infineon IMZ120R090M1H
MOSFET SIC DISCRETE
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IMZ120R090M1H
Fiche de données: IMZ120R090M1H Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-4
Statut RoHS:
État des stocks: 9 166 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $9,169 | $9,169 |
10 | $8,061 | $80,610 |
30 | $7,385 | $221,550 |
100 | $6,818 | $681,800 |
En stock: 9 166 PC
IMZ120R090M1H Description générale
The CoolSiC™ 1200 V, 90 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic. CoolSiC™ MOSFETs are ideal for hard- and resonant-switching topologies like power factor correction (PFC) circuits, bi-directional topologies and DC-DC converters or DC-AC inverters.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
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Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
Technology | SiC | Brand | Infineon Technologies |
Product Type | MOSFET |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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