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$5000Infineon IPG20N06S2L-35
Transistor with N-channel design for use in automotive circuits with high voltage and current requirements
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: IPG20N06S2L-35
Fiche de données: IPG20N06S2L-35 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TDSON-8
Statut RoHS:
État des stocks: 2 651 pièces, nouveau original
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $1,730 | $1,730 |
10 | $1,489 | $14,890 |
30 | $1,337 | $40,110 |
100 | $1,181 | $118,100 |
500 | $1,111 | $555,500 |
1000 | $1,082 | $1082,000 |
En stock: 2 651 PC
IPG20N06S2L-35 Description générale
Mosfet Array 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Caractéristiques
- Drain-Source voltage rating of 60V
- Continuous Drain Current of 20A
- Low on-state resistance (0.035ohm)
- Fast switching speed
- RoHS compliant
Application
- IRF3710ZPBF
- FDP33N25
- STP20NM60FP
- FDP20N60NZ
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Source Content uid | IPG20N06S2L-35 | Pbfree Code | Yes |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 100 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 55 V | Drain Current-Max (ID) | 20 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.035 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-F8 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 65 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 80 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
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Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IPG20N06S2L-35 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip commonly used in electronic devices for switching and amplifying signals. It offers low ON-resistance and high switching speed, making it efficient for various applications like power supplies, motor control, and LED lighting.
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Equivalent
The IPG20N06S2L-35 is a MOSFET transistor. Equivalent products include IRF3709ZS, IRF3709ZSPBF, and IPP60R190P6. These options share similar specifications and can be used interchangeably in various applications. -
Features
1. N-channel enhancement mode power MOSFET 2. Low on-resistance of 20mΩ 3. High current rating of 52A 4. Low gate charge of 20nC 5. Suitable for a wide range of applications including power supplies, motor controls, and switching circuits -
Pinout
The IPG20N06S2L-35 is a power MOSFET with 8 pins. Its functions include serving as a switch in electronic circuits, regulating power flow, and controlling electrical loads. -
Manufacturer
Infineon Technologies manufactures the IPG20N06S2L-35. It's a German semiconductor company specializing in power management, sensor solutions, and automotive electronics. Infineon is a key player in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IPG20N06S2L-35 is commonly used in applications such as power supplies, motor control, solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and battery management systems. It is also suitable for use in electronic devices, electric vehicles, and industrial automation equipment. -
Package
The IPG20N06S2L-35 is a MOSFET transistor packaged in a TO-220 form factor. Its dimensions are approximately 10.4mm x 15.8mm x 4.6mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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