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$5000
Infineon IPP65R125C7
TO-220 packaged N-channel MOSFET rated for 650 volts
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IPP65R125C7
Fiche de données: IPP65R125C7 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220
Statut RoHS:
État des stocks: 8 348 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $4,472 | $4,472 |
10 | $3,905 | $39,050 |
30 | $3,568 | $107,040 |
100 | $3,229 | $322,900 |
500 | $3,071 | $1535,500 |
1000 | $3,000 | $3000,000 |
En stock: 8 348 PC
IPP65R125C7 Description générale
When it comes to high efficiency and performance in electronic applications, the IPP65R125C7 power MOSFET transistor is second to none. With a voltage rating of 650V and a current rating of 125A, this transistor is well-suited for high power circuits such as motor drives, power supplies, and inverters. Its low on-resistance of 0.08 ohms ensures efficient power conversion with minimal losses, while its C7 CoolMOS technology allows for improved switching performance and thermal management. Furthermore, its high avalanche capability makes it robust and reliable under heavy load conditions. The TO-220 package design of the IPP65R125C7 adds to its appeal, providing easy mounting and integration into existing electronic systems for a wide range of power applications
Caractéristiques
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss
- Easy to use/drive
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC
- (J-STD20 and JESD22)
- Pb-free plating, Halogen free mold compound
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | Infineon | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 18 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 111 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 35 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 101 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | CoolMOS | Series | CoolMOS C7 |
Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
Fall Time | 8 ns | Height | 15.65 mm |
Length | 10 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 15 ns | Factory Pack Quantity | 500 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 71 ns | Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
Width | 4.4 mm | Part # Aliases | SP001080132 IPP65R125C7XKSA1 |
Unit Weight | 0.068784 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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