Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

Infineon IPT60R022S7XTMA1

This MOSFET has a gate threshold voltage of 4.5V at a drain current of 1.44mA, with an on-resistance of 22mΩ at 23A and a gate-source voltage of 10V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies Corporation

Pièce Fabricant #: IPT60R022S7XTMA1

Fiche de données: IPT60R022S7XTMA1 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: PG-HSOF-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 2 152 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IPT60R022S7XTMA1 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IPT60R022S7XTMA1 Description générale

The IPT60R022S7XTMA1 is a specific power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) produced by Infineon Technologies. It's designed for high-power switching applications in various electronic devices.

Caractéristiques

MOSFET Type: The "S7" in the part number indicates that this is an N-channel power MOSFET.

Voltage Rating: The "022" typically represents a voltage rating of 22V.

Current Rating: The "60" typically denotes a current rating of 60A, indicating that this MOSFET is capable of handling high current loads.

Package Type: The "XTM" often refers to the package type. The specific package type can vary, but it's important to know this for proper device integration.

Applications: This MOSFET is suitable for a wide range of power switching applications where high current and low on-resistance are required.

Low On-Resistance: Power MOSFETs like this one are designed to have low on-resistance (Rds(on), the resistance when the MOSFET is in the on-state), which minimizes power dissipation and heat generation.

Application

Motor Control: Power MOSFETs are used in motor control applications, such as in robotics, electric vehicles, and industrial machinery.

Power Supplies: They are used in power supplies to efficiently control and switch power to various components.

DC-DC Converters: MOSFETs play a crucial role in DC-DC converters, which are used in voltage regulation and power management.

Electronic Devices: Power MOSFETs are found in various electronic devices where efficient power switching is required, including laptops and consumer electronics.

Amplifiers and Signal Processing: They are used in amplifiers and signal processing circuits for efficient signal routing.

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Part Number IPT60R022S7XTMA1 Manufacturer Infineon Technologies
Type Power MOSFET Voltage Rating (Vds) 600V
Current Rating (Id) 60A Rds(on) (On-Resistance) 0.022 ohms
Package Type TO-220 Mounting Style Through-Hole
Technology N-Channel Enhancement Mode Applications Power amplification, motor control, power management
Features Low on-resistance, high current capability, high voltage rating Operating Temperature Range -55°C to +175°C
Compliance RoHS compliant

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IPT60R022S7XTMA1 chip is a power mosfet designed for use in high power applications. it offers a low on-resistance, allowing for efficient power handling. the chip has a built-in gate protection diode, reducing the need for additional components. it is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications that require high power capabilities and reliable performance.
  • Features

    The IPT60R022S7XTMA1 is a power mosfet with a vdss voltage rating of 600v and a maximum rds(on) of 0.075ω. it has a low gate charge, high current capability, and is optimized for switching applications. this mosfet offers high efficiency and reliability due to its advanced technology and robust design.
  • Pinout

    The IPT60R022S7XTMA1 is a power mosfet transistor with a to-220 package. it has 3 pins: gate, drain, and source. the gate pin controls the transistor's conductivity, while the drain and source pins connect it to the circuit. it is used in various applications, including power supply, motor control, and inverters.
  • Manufacturer

    Infineon technologies is the manufacturer of the IPT60R022S7XTMA1. it is a german semiconductor company specializing in the production of power semiconductors and system solutions.
  • Application Field

    The IPT60R022S7XTMA1 is a power mosfet transistor that is commonly used in various application areas, including power supplies, motor control, lighting, and electronic switches. it offers a high voltage rating and low on-resistance, making it suitable for high-power applications.
  • Package

    The IPT60R022S7XTMA1 chip has a package type of smd (surface mount device) and comes in the form of a transistor. it has a small size, typically measured as sot-223, which is about 6.7mm x 6.7mm x 2.5mm in dimension.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire IPT60R022S7XTMA1 PDF Télécharger

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • IRF4905PBF

    IRF4905PBF

    Infineon Technologies

    The IRF4905PBF is a power-efficient P-channel MOSF...

  • IRF3710

    IRF3710

    Infineon

    Power Field-Effect Transistor with 57A I(D)

  • IRF6619

    IRF6619

    Infineon

    20V MOSFET with 2.2mΩ resistance at 30A

  • BUP314D

    BUP314D

    Infineon

    42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...

  • BSM50GX120DN2

    BSM50GX120DN2

    Infineon

    Integrated Circuit Dual 4X1 16TSSOP Multiplexer

  • SPW47N65C3

    SPW47N65C3

    Infineon

    Discover unparalleled quality and innovation in th...