Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

Infineon IRF5810TRPBF

Part number IRF5810TRPBF

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies

Pièce Fabricant #: IRF5810TRPBF

Fiche de données: IRF5810TRPBF Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TSOP-6

type de produit: FET, MOSFET Arrays

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IRF5810TRPBF ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IRF5810TRPBF Description générale

The IRF5810TRPBF MOSFET delivers exceptional performance and reliability for demanding electronic applications. Featuring a dual P-channel configuration and a drain-source voltage (Vds) rating of -20V, it provides robust power management capabilities. With a continuous drain current (Id) capability of -2.9A, it ensures reliable operation under varying load conditions. The MOSFET's low on-resistance (Rds(on)) of 90mohm at a test voltage (Vgs) of -4.5V minimizes power dissipation, enhancing efficiency in circuit designs. Housed in a compact TSOP-6 package, it offers space-saving advantages without compromising performance. Furthermore, its RoHS compliance underscores its commitment to environmental responsibility, making it a preferred choice for engineers designing high-performance, eco-friendly electronics

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6
Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Id - Continuous Drain Current: 2.9 A
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V Qg - Gate Charge: 6.4 nC
Pd - Power Dissipation: 960 mW Packaging: MouseReel
Brand: Infineon Technologies Configuration: Dual
Height: 1.1 mm Length: 3 mm
Moisture Sensitive: Yes Product: MOSFET Small Signal
Product Type: MOSFET Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 2 P-Channel
Width: 1.5 mm Part # Aliases: SP001574802
Unit Weight: 0.000705 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IRF5810TRPBF chip is a power MOSFET designed for use in high voltage applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power switching applications. The chip is part of the IRF5810 series and is commonly used in power supplies, motor control circuits, and other high voltage switching circuits.
  • Equivalent

    The equivalent products of the IRF5810TRPBF chip include INF5810TRPBF, PSMN3R7-40YS, and FDPF5N50UZ.
  • Features

    The IRF5810TRPBF is a power MOSFET with a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 56A. It has a low on-resistance of 9.5mΩ and is designed for high power applications. It also features a D2Pak/TO-263 package for easy mounting and heat dissipation.
  • Pinout

    The pin count of the IRF5810TRPBF is 8. It is a P-channel power MOSFET with a drain current rating of 5.6A. The device is commonly used for power management applications, such as switching circuits and voltage regulation.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRF5810TRPBF is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces and sells various components for a wide range of applications, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IRF5810TRPBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that can be used in various applications such as power supplies, motor control, and lighting circuits. It is commonly used in electronic devices that require high voltage switching and efficient power management.
  • Package

    The IRF5810TRPBF chip is available in a TO-263 package, also known as D2PAK, with a form factor suited for surface mounting. The package size measures approximately 10mm x 10mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • IPD30N10S3L-34

    IPD30N10S3L-34

    Infineon

    Automotive-grade N-channel transistor MOSFET with ...

  • BUP314D

    BUP314D

    Infineon

    42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...

  • BSM50GX120DN2

    BSM50GX120DN2

    Infineon

    Integrated Circuit Dual 4X1 16TSSOP Multiplexer

  • SPW47N65C3

    SPW47N65C3

    Infineon

    Discover unparalleled quality and innovation in th...

  • SPW47N60CFD

    SPW47N60CFD

    Infineon

    TO-247 MOSFET, 600V N-channel, 46A Continuous Drai...

  • SPW47N60C3

    SPW47N60C3

    Infineon

    SPW47N60C3: Transistor, unipolar N-MOSFET, 650V, 4...