Commandes de plus de
$5000Infineon IRF5810TRPBF
Part number IRF5810TRPBF
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IRF5810TRPBF
Fiche de données: IRF5810TRPBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TSOP-6
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF5810TRPBF Description générale
The IRF5810TRPBF MOSFET delivers exceptional performance and reliability for demanding electronic applications. Featuring a dual P-channel configuration and a drain-source voltage (Vds) rating of -20V, it provides robust power management capabilities. With a continuous drain current (Id) capability of -2.9A, it ensures reliable operation under varying load conditions. The MOSFET's low on-resistance (Rds(on)) of 90mohm at a test voltage (Vgs) of -4.5V minimizes power dissipation, enhancing efficiency in circuit designs. Housed in a compact TSOP-6 package, it offers space-saving advantages without compromising performance. Furthermore, its RoHS compliance underscores its commitment to environmental responsibility, making it a preferred choice for engineers designing high-performance, eco-friendly electronics
![](/files/uploads/product/b/607f5456-e483-4407-9c74-2703386226a2.webp)
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSOP-6 |
Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 2.9 A |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V | Qg - Gate Charge: | 6.4 nC |
Pd - Power Dissipation: | 960 mW | Packaging: | MouseReel |
Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Dual |
Height: | 1.1 mm | Length: | 3 mm |
Moisture Sensitive: | Yes | Product: | MOSFET Small Signal |
Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 2 P-Channel |
Width: | 1.5 mm | Part # Aliases: | SP001574802 |
Unit Weight: | 0.000705 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRF5810TRPBF chip is a power MOSFET designed for use in high voltage applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power switching applications. The chip is part of the IRF5810 series and is commonly used in power supplies, motor control circuits, and other high voltage switching circuits.
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Equivalent
The equivalent products of the IRF5810TRPBF chip include INF5810TRPBF, PSMN3R7-40YS, and FDPF5N50UZ. -
Features
The IRF5810TRPBF is a power MOSFET with a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 56A. It has a low on-resistance of 9.5mΩ and is designed for high power applications. It also features a D2Pak/TO-263 package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
The pin count of the IRF5810TRPBF is 8. It is a P-channel power MOSFET with a drain current rating of 5.6A. The device is commonly used for power management applications, such as switching circuits and voltage regulation. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRF5810TRPBF is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces and sells various components for a wide range of applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IRF5810TRPBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that can be used in various applications such as power supplies, motor control, and lighting circuits. It is commonly used in electronic devices that require high voltage switching and efficient power management. -
Package
The IRF5810TRPBF chip is available in a TO-263 package, also known as D2PAK, with a form factor suited for surface mounting. The package size measures approximately 10mm x 10mm.
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