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Infineon BSM100GD120DN2
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-39
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSM100GD120DN2
Fiche de données: BSM100GD120DN2 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: EconoPACK 3A
Statut RoHS:
État des stocks: 9458 pièces, nouveau original
type de produit: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $264,102 | $264,102 |
| 30 | $253,391 | $7601,730 |
In Stock:9458 PCS
BSM100GD120DN2 Description générale
IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Module Configuration:Six; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:3V; Power Dissipation Pd:680W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Transistor Case Style:Econopack 3; No. of Pins:39; Current Ic Continuous a Max:100A; Current Temperature:80°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:6; Package / Case:Econopack 3; Power Dissipation Max:680W; Power Dissipation Pd:680W; Pulsed Current Icm:200A; Termination Type:Solder; Voltage Vce Sat Typ:2.5V; Voltage Vces:1.2kV
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Hex |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 150 A | Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA |
| Pd - Power Dissipation | 680 W | Package / Case | EconoPACK 3A |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | Infineon Technologies | Height | 17 mm |
| Length | 122 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si | Width | 62 mm |
| Part # Aliases | SP000100365 BSM100GD120DN2BOSA1 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Points de pièce
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The BSM100GD120DN2 is a power semiconductor module designed for industrial applications. It combines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) technology with a diode for efficient power conversion. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A, it offers high reliability and performance in various power electronic systems such as motor drives and inverters.
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Equivalent
Equivalent products to the BSM100GD120DN2 chip include Infineon's FF100R12KT4 and FF150R12KT4 modules, as well as Semikron's SKM100GB128D module. These are all insulated-gate bipolar transistors (IGBT) designed for high-power applications, offering similar specifications and performance characteristics. -
Features
The BSM100GD120DN2 is an IGBT power module with a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A. It features low switching losses, high efficiency, and a compact design suitable for various industrial applications, particularly in motor drives and renewable energy systems. -
Pinout
The BSM100GD120DN2 is a dual IGBT module with a pin count of 14. Its functions include high power switching and motor control in industrial applications. -
Manufacturer
The BSM100GD120DN2 is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon is a multinational semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, microcontrollers, and sensors. They cater to various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSM100GD120DN2 is typically used in industrial applications such as motor drives, renewable energy systems, and power supplies. It's particularly suitable for high-power applications due to its high voltage and current ratings, making it ideal for efficient energy conversion and motor control. -
Package
The BSM100GD120DN2 is a power module with a dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip. It is packaged in a module form and typically comes in a size of 100 x 140 x 30 mm.
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