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$5000IXFP7N100P
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFP7N100P
Fiche de données: IXFP7N100P Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-3
Statut RoHS:
État des stocks: 7 754 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFP7N100P Description générale
Polar™ HiPerFETs (IXF) combine the strengths of the Polar Standard product family with a faster body diode, whose reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of HiPerFETs provides lowest RDS(on),low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability.
Caractéristiques
- International Standard Packages
- Dynamic dv/dt Rating
- Avalanche Rated
- Fast Intrinsic Rectifier
- Low Q
- G
- and R
- DS(on)
- Low Drain-to-Tab Capacitance
- Low Package Inductance
- Advantages:
- Easy to Mount
- Space Savings
Application
- Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
- DC-DC Converters
- Battery Chargers
- Uninterrupted Power Supplies
- AC Motor Drives
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Series | HiPerFET™, Polar | Package | Tube |
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2590 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 | Package / Case | TO-220-3 |
Base Product Number | IXFP7N100 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
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Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXFP7N100P is a high voltage MOSFET power transistor designed for use in power supply applications. It has a maximum drain-source voltage of 1000V and a continuous drain current rating of 7A. With a low on-resistance and fast switching speeds, the IXFP7N100P is ideal for high power and efficiency requirements in various industrial and automotive applications.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFP7N100P chip are FDPF7N1PZ, IRFP460, and MTP7N100E. These are similar power MOSFETs with comparable specifications and performance. -
Features
The IXFP7N100P is a high voltage power MOSFET with a breakdown voltage of 1000V, a continuous drain current of 7A, and a low on-resistance of 1.6 ohms. It is designed for use in high voltage applications such as power supplies, motor controls, and inverters. -
Pinout
The IXFP7N100P is a power MOSFET transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins: the gate (G), drain (D), and source (S). The function of this transistor is to control high power levels in electronic circuits. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFP7N100P. IXYS is a power semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of power semiconductors, digital and analog integrated circuits, and RF power products for various applications, including power and energy management systems, environmental protection, aerospace, and telecommunications. -
Application Field
IXFP7N100P is a high-voltage power MOSFET that can be used in a variety of applications such as power supplies, motor control, lighting, and renewable energy systems. It is suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high voltage and high current handling capabilities are required. -
Package
The IXFP7N100P chip comes in a TO-220 package. It is in the form of a single MOSFET transistor with a size of approximately 10.4mm x 4.8mm x 9.0mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits