Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000
IXTK120N25P
3-Pin N-Channel Transistor with TO-264AA Package, rated for 250V and 120A
Marques: Ixys
Pièce Fabricant #: IXTK120N25P
Fiche de données: IXTK120N25P Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-264-3
Statut RoHS:
État des stocks: 6 852 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $11,294 | $11,294 |
| 200 | $4,371 | $874,200 |
| 500 | $4,218 | $2109,000 |
| 1000 | $4,142 | $4142,000 |
En stock: 6 852 PC
IXTK120N25P Description générale
When it comes to high-performance applications, the IXTK120N25P is a top contender. This high-power MOSFET transistor boasts a formidable 250V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 120A. With a low on-resistance of 0.057 ohms, this N-Channel enhancement mode power MOSFET offers efficient power dissipation and minimal thermal resistance, leading to improved efficiency and reduced power losses. The TO-264 package enhances thermal conduction and power dissipation, while the wide operating temperature range of -55°C to 175°C ensures versatility in various environmental conditions
Caractéristiques
- Low input capacitance
- High speed switching
- Suitable for DC-DC converters
- Low electromagnetic interference (EMI)
Application
- Advanced power transistor for welding
- Efficient control in motor applications
- Versatile MOSFET for power supplies
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Qg - Gate Charge | 185 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 700 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PolarHT |
| Series | IXTK120N25 | Brand | IXYS |
| Configuration | Single | Fall Time | 33 ns |
| Forward Transconductance - Min | 50 S | Height | 26.16 mm |
| Length | 19.96 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 33 ns | Factory Pack Quantity | 25 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | PolarHT Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns | Width | 5.13 mm |
| Unit Weight | 0.352740 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor chip designed for high power switching applications. It has a continuous current rating of 120A and a voltage rating of 250V. Its compact size and high efficiency make it ideal for use in power supplies, motor control, and other high-power applications.
-
Equivalent
Some equivalent products of IXTK120N25P chip are IXFN120N25P, IXFN120N25T, IXKF120N25P, and IXKD120N25P. These devices are also power MOSFETs designed for high frequency and high power applications with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 250V and a current rating of 120A. It has a low on-resistance of 48 mΩ and a fast switching speed. This transistor is suitable for high power applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The pin count of IXTK120N25P is 7 pins. This device is a high-power N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module used for power switching applications. It combines the high-speed and low-voltage drive capabilities of an MOSFET with the high-current and low-saturation voltage capabilities of a bipolar transistor. -
Manufacturer
IXTK120N25P is manufactured by IXYS Corporation. They are a multinational semiconductor company specializing in the development and production of power semiconductors, integrated circuits, and power systems for a wide range of industries including automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IXTK120N25P is commonly used in applications such as industrial power supplies, motor controls, welding equipment, and switch mode power supplies. It is also used in automotive and transportation systems, as well as in renewable energy systems like solar inverters and wind turbines. -
Package
The IXTK120N25P chip is in a TO-264 package, with a transistor form and size of 3.3 mm x 10 mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
