Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

ST M95512-DRMN3TP/K

EEPROM Memory IC 512Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: STMicroelectronics, Inc

Pièce Fabricant #: M95512-DRMN3TP/K

Fiche de données: M95512-DRMN3TP/K Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SO-8

type de produit: Mémoire

Statut RoHS:

État des stocks: 2 884 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour M95512-DRMN3TP/K ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

M95512-DRMN3TP/K Description générale

Elevate your security measures with the M95512-DRMN3TP/K smart card chip, a reliable and efficient solution for safeguarding your data. STMicroelectronics' commitment to quality shines through in this chip, with its robust design and advanced encryption ensuring that your information remains protected at all times. Whether you're storing access credentials, payment details, or loyalty points, this chip has the capacity and capability to meet your needs. Experience seamless communication, enhanced security, and unmatched convenience with the M95512-DRMN3TP/K chip – the ultimate choice for high-tech applications

Caractéristiques

  • Compatible with the Serial Peripheral Interface (SPI) bus
  • Memory array
    • 512 Kbit (64 Kbyte) of EEPROM
    • Page size: 128 byte
    • Write protection by block: 1/4, 1/2 or whole memory
    • Additional Write lockable Page (Identification page)
  • Extended temperature and voltage ranges
    • Up to 125 °C (VCCfrom 1.7 V to 5.5 V)
    • Up to 145 °C (VCCfrom 2.5 V to 5.5 V)
  • High speed clock frequency
    • 16 MHz for VCC ≥ 4.5 V
    • 10 MHz for VCC≥ 2.5 V
    • 5 MHz for VCC≥ 1.7 V
  • Schmitt trigger inputs for noise filtering
  • Short Write cycle time
    • Byte Write within 4 ms
    • Page Write within 4 ms
  • Write cycle endurance
    • 4 million Write cycles at 25 °C
    • 1.2 million Write cycles at 85 °C
    • 600 k Write cycles at 125 °C
    • 400 k Write cycles at 145 °C
  • Data retention
    • 50 years at 125 °C
    • 100 years at 25 °C
  • ESD Protection (Human Body Model)
    • 4000 V
  • Packages
    • RoHS-compliant and halogen-free (ECOPACK2®)

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
feature-organization 64Kx8 feature-process-technology
feature-maximum-access-time-ns 25 feature-minimum-operating-supply-voltage-v 1.8
feature-maximum-operating-supply-voltage-v 5.5 feature-maximum-operating-current-ma 5
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 8 feature-supplier-package SO N
feature-standard-package-name SO feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection Yes feature-military No
feature-aec-qualified Yes feature-aec-qualified-number AEC-Q100
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc No
feature-svhc-exceeds-threshold No

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The M95512-DRMN3TP/K is a high-security, high-capacity memory chip designed for use in electronic devices requiring data protection and tamper resistance. It features a 512 Kbit EEPROM memory with advanced security features, including encrypted communication and tamper detection. This chip is suitable for applications such as payment cards, secure access control systems, and secure data storage devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of M95512-DRMN3TP/K chip are the M95512-DRMN6TP/K and M95512-DRMN3TG/K. These chips have the same functionality and features as the M95512-DRMN3TP/K chip and can be used as replacements in compatible applications.
  • Features

    The M95512-DRMN3TP/K is a 512 Kbit Serial I²C Bus EEPROM with User-Defined Write Protection. It features a wide supply voltage range (1.7 V to 5.5 V), software data protection, and clock frequency of up to 1 MHz. It is available in a standard DFN8 (3 x 2 mm) package.
  • Pinout

    The M95512-DRMN3TP/K is an EEPROM memory IC with a 8-lead SOIC package. It has a pin count of 8 and functions as a 512 Kbit (64 Kbyte) serial SPI bus EEPROM with a high-speed clock. These ICs are commonly used for storing and retrieving data in various electronic devices.
  • Manufacturer

    STMicroelectronics is the manufacturer of the M95512-DRMN3TP/K. It is a multinational semiconductor and electronics manufacturer, producing a wide range of products including microcontrollers, power management, and digital ICs for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The M95512-DRMN3TP/K is typically used in embedded systems, industrial automation, smart meters, automotive electronics, and consumer electronics. The non-volatile memory and high-speed SPI interface make it suitable for storing configuration data, calibrations, firmware updates, and secure key storage in various applications.
  • Package

    The M95512-DRMN3TP/K chip comes in a surface-mount SOIC (Small Outline Integrated Circuit) package. It is available in a 8-pin form and has a size of 150 mil.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire M95512-DRMN3TP/K PDF Télécharger

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • M25PE16-VMW6TG

    M25PE16-VMW6TG

    Stmicroelectronics

    Low voltage flash memory

  • M48Z02-200PC1

    M48Z02-200PC1

    Stmicroelectronics

    Low power consumption with standby current of only...

  • M48Z128Y-70PM1

    M48Z128Y-70PM1

    Stmicroelectronics

    5V 32-Pin PMDIP Tube Parallel 1M-Bit NVRAM NVSRAM

  • NAND512W3A2CN6E

    NAND512W3A2CN6E

    Micron Technology

    4 Megabytes by 8, 35 nanoseconds, Plastic Dual In-...

  • NAND08GW3B2CN6E

    NAND08GW3B2CN6E

    Micron Technology

    The NAND08GW3B2CN6E is a high-speed flash memory c...

  • NAND02GW3B2DN6E

    NAND02GW3B2DN6E

    Micron Technology

    8-Pin TSOP Tray 3V 2G-Bit 256M x 8 25us