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$5000ST NAND01GW3B2BN6F
The NAND01GW3B2BN6F is a flash memory component that features 128 megabits organized in an 8-bit configuration and comes in a PDSO48 package."
Marques: Micron Technology
Pièce Fabricant #: NAND01GW3B2BN6F
Fiche de données: NAND01GW3B2BN6F Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TSOP
type de produit: Mémoire
Statut RoHS:
État des stocks: 2 123 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NAND01GW3B2BN6F Description générale
The NAND01GW3B2BN6F is a NAND flash memory chip manufactured by a company such as Toshiba, Micron, or Samsung. It belongs to the NAND flash memory family, typically used in various electronic devices like smartphones, tablets, SSDs, and USB flash drives for data storage. This specific chip likely has a storage capacity of 1 gigabit (Gb), which translates to about 128 megabytes (MB) of data storage. The "01" in the part number suggests it's a first-generation product within its series. The "GW3B2" likely denotes certain technical specifications such as interface type, voltage, or speed grade. The "BN6F" might specify the package type and configuration.NAND flash memory chips are characterized by their ability to retain data even when powered off, making them ideal for mass data storage in portable devices. They operate on the principle of electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM), allowing for high-speed read and write operations. This particular chip, being a common component in electronic devices, adheres to industry standards for reliability, performance, and compatibility
Caractéristiques
Application
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | NAND Flash | Package / Case | TSOP |
| Memory Size | 1 Gbit | Interface Type | Parallel |
| Organization | 128 M x 8 | Timing Type | Asynchronous |
| Data Bus Width | 8 bit, 16 bit | Supply Voltage - Min | 2.7 V |
| Supply Voltage - Max | 3.6 V | Supply Current - Max | 20 mA |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 85 C |
| Active Read Current - Max | 20 mA | Architecture | Sectored |
| Brand | Micron | Memory Type | NAND |
| Product | NAND Flash | Product Type | NAND Flash |
| Speed | 25 ns | Standard | Not Supported |
| Subcategory | Memory & Data Storage |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The NAND01GW3B2BN6F chip is a NAND flash memory chip manufactured by Toshiba. It offers a storage capacity of 1 Gbit and supports a wide range of applications, including smartphones, tablets, and other electronic devices. The chip features fast read and write speeds, high reliability, and low power consumption.
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Equivalent
Equivalent products of NAND01GW3B2BN6F chip are NAND01GW3B2BN6F, NAND02GW3B2AN6F, and NAND04GW3B2AN6F. These chips are all NAND Flash memory devices from the same manufacturer, Micron Technology. -
Features
NAND01GW3B2BN6F is a 1Gbit (128MB) SLC NAND flash memory from Micron with a voltage range of 1.7-1.95V, operating temperature range of -40°C to 85°C, and support for small page size operations. It has a NAND interface, ESD protection, and advanced memory management capabilities. -
Pinout
The NAND01GW3B2BN6F is a 8-pin NAND Flash memory chip with a capacity of 1 Gbit (128MB). Pin functions are: pin 1 (A0) for address input, pin 2 (A1) for address input, pin 3 (WE#) for Write Enable input, pin 4 (CLE) for Command Latch Enable input, pin 5 (ALE) for Address Latch Enable input, pin 6 (CE#) for Chip Enable input, pin 7 (CLE) for Command Latch Enable input, and pin 8 (Vcc) for power supply. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND01GW3B2BN6F is Micron Technology, Inc. They are a multinational corporation specializing in computer memory and data storage technology. Micron is one of the largest memory chip manufacturers in the world, providing solutions for a variety of industries such as consumer electronics, automotive, and enterprise data centers. -
Application Field
The NAND01GW3B2BN6F is commonly used in applications that require high-density storage solutions, such as SSDs, digital cameras, gaming consoles, and mobile devices. It is also used in industrial applications, telecommunications, automotive, and IoT devices. Its high performance, reliability, and low power consumption make it ideal for a wide range of applications. -
Package
The NAND01GW3B2BN6F chip is in a BGA package type, with a form factor of FBGA-63, and a size of 9.5mm x 12.5mm.
Fiche de données PDF
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