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MACOM MRF151G
RF Power Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 375-04, 4 PIN
Marques: Macom
Pièce Fabricant #: MRF151G
Fiche de données: MRF151G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 375-04
Statut RoHS:
État des stocks: 8 746 pièces, nouveau original
type de produit: RF FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $417,765 | $417,765 |
| 200 | $161,669 | $32333,800 |
| 500 | $155,988 | $77994,000 |
| 1000 | $153,181 | $153181,000 |
En stock: 8 746 PC
MRF151G Description générale
The MRF151G's gold metallization system provides exceptional reliability and thermal conductivity, making it a durable and efficient choice for a wide range of operating temperatures. Its low thermal resistance and input/output capacitances contribute to high efficiency and stability in high-power settings, ensuring consistent performance even in harsh environments. Whether you're a dedicated amateur radio enthusiast or a military professional in need of a dependable RF power transistor, the MRF151G delivers the power and reliability you can trust
Caractéristiques
- Fast response time for dynamic applications
- Excellent thermal stability and reliability
- Multimode operation with precise control
- Precise frequency control for high accuracy
- High power handling capacity for demanding loads
- Rugged construction for harsh conditions
- Powerful RF amplifiers
- Advanced radar tech
- Industrial RF systems
- RF heating solutions
- Wireless infrastructure
- Medical RF equipment
Application
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | RF MOSFET Transistors | RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel | Technology | Si |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 125 V |
| Operating Frequency | 175 MHz | Gain | 14 dB |
| Output Power | 300 W | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Mounting Style | SMD/SMT |
| Brand | MACOM | Configuration | Dual |
| Pd - Power Dissipation | 500 W | Product Type | RF MOSFET Transistors |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | MOSFETs |
| Type | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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