Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
ON FQD12N20LTM
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FQD12N20LTM
Fiche de données: FQD12N20LTM Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-252
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3315 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
Ajouter à la nomenclatureFQD12N20LTM Description générale
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Caractéristiques
- 9A, 200V, RDS(on) = 280mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4.5A
- Low gate charge ( Typ. 16nC)
- Low Crss ( Typ. 17pF)
- 100% avalanche tested
- Low level gate drive requirement allowing direct oprationfrom logic drivers
Application
- LED TV
- CRT/RPTV
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- Workstation
- Server & Mainframe
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Status | Active | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | DPAK-3 / TO-252-3 |
| Case Outline | 369AS | MSL Type | 1 |
| MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
| Container Qty. | 2500 | ON Target | Y |
| Channel Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
| V(BR)DSS Min (V) | 200 | VGS Max (V) | ±30 |
| VGS(th) Max (V) | 2 | ID Max (A) | 9 |
| PD Max (W) | 55 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 320 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 280 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 16 |
| Ciss Typ (pF) | 830 | Pricing ($/Unit) | $0.3072Sample |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | DMOS | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 200 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 2 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 9 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 280@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 16@5V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 830@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 2500 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | DPAK | feature-standard-package-name1 | TO-252 |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The FQD12N20LTM chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance applications. It has a low on-resistance and a high switching speed, making it suitable for a variety of power management tasks. The chip can handle a maximum drain current of 12A and a maximum voltage of 200V. It is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and inverters.
-
Equivalent
There are no direct equivalent products of the FQD12N20LTM chip, as it is a specific transistor designed by Fairchild Semiconductor. However, there may be alternative transistors with similar specifications and features that can be used in its place. -
Features
The FQD12N20LTM is a 200V N-Channel MOSFET transistor. It features a low on-resistance, fast switching speed, high ruggedness, and is designed for various power switching applications. -
Pinout
The FQD12N20LTM is a 200V, N-channel MOSFET. It has a TO-252 package with 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQD12N20LTM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company specializing in power and analog semiconductor products. -
Application Field
The FQD12N20LTM is a power MOSFET transistor commonly used in various applications such as power supplies, motor control, and high-frequency circuits. It is particularly suitable for applications where high power and high efficiency are required due to its low on-resistance and fast switching capabilities. -
Package
The FQD12N20LTM chip is a MOSFET transistor. It is available in a TO-252 (DPAK) package type, which has three pins. The size of the package is around 6.6mm x 6.2mm x 1.7mm.
Fiche de données PDF
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
Ovaga is a cut above the rest when it comes to electronic components- they truly excel in every aspect of the business.