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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR NAND Flash SLC 4G 512MX8 TSOP
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Micron Technology Inc.
Pièce Fabricant #: MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
Fiche de données: MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 48-TFSOP
Statut RoHS:
État des stocks: 5 775 pièces, nouveau original
type de produit: Mémoire
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $3,442 | $3,442 |
10 | $3,012 | $30,120 |
30 | $2,757 | $82,710 |
100 | $2,500 | $250,000 |
500 | $2,381 | $1190,500 |
1000 | $2,326 | $2326,000 |
En stock: 5 775 PC
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR Description générale
Furthermore, the MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR supports multiple read and program operations, streamlining data processing and enhancing overall efficiency. Its compact 48-ball fine pitch ball grid array (FBGA) package ensures easy integration into space-constrained electronic designs, making it a versatile and practical solution for various device manufacturers and designers
Caractéristiques
- Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant1
- Single-level cell (SLC) technology
- Organization
- – Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
- – Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)
- – Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
- – Plane size: 2 planes x 2048 blocks per plane
- – Device size: 4Gb: 4096 blocks; 8Gb: 8192 blocks 16Gb: 16,384 blocks
- Asynchronous I/O performance
- – tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
- Array performance
- – Read page: 25µs 3
- – Program page: 200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)3
- – Erase block: 700µs (TYP)
- Command set: ONFI NAND Flash Protocol
- Advanced command set
- – Program page cache mode4
- – Read page cache mode 4
- – One-time programmable (OTP) mode
- – Two-plane commands 4
- – Interleaved die (LUN) operations
- – Read unique ID
- – Block lock (1.8V only)
- – Internal data move
- Operation status byte provides software method for detecting
- – Operation completion
- – Pass/fail condition
- – Write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- WP# signal: Write protect entire device
- First block (block address 00h) is valid when ship ped from factory with ECC. For minimum required ECC, see Error Management.
- Block 0 requires 1-bit ECC if PROGRAM/ERASE cycles are less than 1000
- RESET (FFh) required as first command after power-on
- Alternate method of device initialization (Nand_In it) after power up (contact factory)
- Internal data move operations supported within the plane from which data is read
- Quality and reliability
- – Data retention: 10 years
- – Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
- Operating voltage range
- – VCC: 2.7–3.6V
- – VCC: 1.7–1.95V
- Operating temperature:
- – Commercial: 0°C to +70°C
- – Industrial (IT): –40ºC to +85ºC
- Package
- – 48-pin TSOP type 1, CPL2
- – 63-ball VFBGA
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Status | Not For New Designs | Programmabe | Not Verified |
Memory Type | Non-Volatile | Memory Format | FLASH |
Technology | FLASH - NAND | Memory Size | 4Gbit |
Memory Organization | 512M x 8 | Memory Interface | Parallel |
Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V | Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR chip is a 4Gb NAND flash memory with a page size of 2KB and a block size of 64KB. It offers a high-speed interface for efficient data storage and retrieval in a variety of electronic devices. This chip is designed for industrial applications, ensuring reliability and durability in demanding environments.
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Equivalent
The equivalent products of MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR chip are: MT29F4G08ABADAWP-IT:E TR, MT29F4G08ABAFAwp-AT:E TR, MT29F4G08ABAFAwp-IT:E TR, MT29F4G08ABAFAwp-IT:E:F TR, MT29F4G08ABAFAwp-IT:E TR, MT29F4G08ABAFAwp-ITF:F TR. -
Features
1. NAND Flash memory technology 2. 4 Gb density 3. Extended temperature range (-40°C to 85°C) 4. NAND interface 5. 3V power supply 6. Page read access time of 25 ns 7. Program/erase cycles: 100,000 (Note: This is a general overview and specific features may vary) -
Pinout
The MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR is a NAND flash memory with a 48-pin TSOP package. The pinout includes control, address, data, and power supply pins for reading and writing data in embedded systems. It is commonly used in various consumer electronics and industrial applications for storing large amounts of data. -
Manufacturer
Micron Technology Inc. is the manufacturer of the MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR. It is a multinational corporation specializing in computer memory and data storage technology. Micron produces a wide range of memory products for various industries, including consumer electronics, automotive, and networking. -
Application Field
The MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR is commonly used in applications such as mobile phones, digital cameras, tablets, solid-state drives, and industrial automation due to its high-speed NAND Flash memory capabilities. It is also suitable for use in embedded systems, gaming consoles, and automotive applications. -
Package
The MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR chip is packaged in an FBGA (64-ball) form factor with a size of 8mm x 9mm x 1.2mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits