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$5000NE3210S01-T1B
High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorporating advanced AlGaAs HJFET technology
Marques: Cel
Pièce Fabricant #: NE3210S01-T1B
Fiche de données: NE3210S01-T1B Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SO-1
type de produit: RF FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 311 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NE3210S01-T1B Description générale
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.5dB SMD
Caractéristiques
- SUPER LOW NOISE FIGURE:
- 0.35 dB TYP at f = 12 GHz
- HIGH ASSOCIATED GAIN:
- 13.5 dB TYP at f = 12 GHz
- GATE LENGTH: LG ≤ 0.20 μm
- GATE WIDTH: WG = 160 μm
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | RF JFET Transistors | RoHS | Details |
| Transistor Type | HFET | Technology | GaAs |
| Operating Frequency | 12 GHz | Gain | 13.5 dB |
| Transistor Polarity | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 4 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 3 V | Id - Continuous Drain Current | 70 mA |
| Maximum Operating Temperature | + 125 C | Pd - Power Dissipation | 165 mW |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SO-1 |
| Brand | CEL | Forward Transconductance - Min | 55 mS |
| NF - Noise Figure | 0.35 dB | Product | RF JFET |
| Product Type | RF JFET Transistors | Factory Pack Quantity | 4000 |
| Subcategory | Transistors |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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NE3210S01-T1B is a high-performance transimpedance amplifier chip designed for use in optical communication systems. It offers low noise, high bandwidth, and adjustable gain settings, making it ideal for receiving and amplifying optical signals in various fiber optic applications.
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Equivalent
Some equivalent products of NE3210S01-T1B chip are the ADM3055E or ADM3057E from Analog Devices, the ISO7710 from Texas Instruments, and the MAXREFDES9# from Maxim Integrated. -
Features
NE3210S01-T1B is a high-power GaN HEMT transistor with superior efficiency and power density. It operates at frequencies up to 3.5 GHz, delivers 18W of saturated output power, and achieves a power-added efficiency of over 65%. It is suitable for a wide range of applications including wireless infrastructure, radar systems, and military communications. -
Pinout
The NE3210S01-T1B is a 12-pin SOT-23 dual N-channel enhancement mode MOSFET. It is commonly used for voltage regulation, power management, and general switching applications. The pinout consists of two gate (G) pins, two drain (D) pins, and two source (S) pins for each MOSFET channel. -
Manufacturer
The NE3210S01-T1B is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of semiconductor-based solutions. ON Semiconductor designs and produces a wide range of products, including power management, analog, and sensor solutions for various industries such as automotive, communications, computing, consumer, and industrial. -
Application Field
The NE3210S01-T1B is a high-performance, low-power RF amplifier commonly used in wireless communication applications such as cellular base stations, small cell systems, and wireless infrastructure. It offers excellent linearity and efficiency, making it suitable for various radio frequency (RF) amplification needs in telecommunications and networking equipment. -
Package
The NE3210S01-T1B chip is a surface-mount package type with a rectangular form and a length of 3.9mm, a width of 3.4mm, and a height of 0.65mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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