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TI CSD18543Q3AT
CSD18543Q3AT is a high-performance power MOSFET with a 60-volt rating, N channel configuration, and NexFET™ technology
Marques: Ti
Pièce Fabricant #: CSD18543Q3AT
Fiche de données: CSD18543Q3AT Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: VSONP-8
Statut RoHS:
État des stocks: 140 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,730 | $0,730 |
| 10 | $0,607 | $6,070 |
| 30 | $0,545 | $16,350 |
| 250 | $0,484 | $121,000 |
| 500 | $0,448 | $224,000 |
| 1000 | $0,428 | $428,000 |
En stock: 140 PC
CSD18543Q3AT Description générale
Featuring a N-channel polarity, the CSD18543Q3AT MOSFET offers a versatile solution for a wide range of applications. Its impressive specifications include a low on resistance of 0.0081ohm and a high continuous drain current of 35A, enabling efficient power management in demanding scenarios. With a drain-source voltage rating of 60V and a threshold voltage of 2V, this transistor excels in performance and reliability. The VSON package with 8 pins provides a compact and robust housing for the device, while its operating temperature range of up to 150°C ensures stability under challenging conditions. As part of the NexFET Series, the CSD18543Q3AT meets stringent automotive qualification standards and is free from SVHCs, underscoring its commitment to safety and compliance
Caractéristiques
- Innovative Cooling Mechanism
- Advanced Power Management
- Sustainable Design
- Reliable and Scalable Architecture
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| VDS (V) | 60 | Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 15.6 | Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 9.9 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 156 | QG (typ) (nC) | 11.1 |
| QGD (typ) (nC) | 1.7 | QGS (typ) (nC) | 3.1 |
| VGS (V) | 20 | VGSTH typ (typ) (V) | 2 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 60 | ID - package limited (A) | 35 |
| Logic level | Yes | Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The CSD18543Q3AT chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) device used for power management in electronic systems. It is designed to provide high efficiency and low power dissipation, making it suitable for battery-powered applications. The chip offers a low on-resistance, fast switching speeds, and excellent thermal performance. Overall, the CSD18543Q3AT chip is ideal for applications such as smartphones, tablets, and other portable devices.
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Equivalent
The equivalent products of the CSD18543Q3AT chip include CSD18563Q5B, CSD18534Q5A, CSD18563Q3A, and CSD18560Q5B. These chips are all N-Channel NexFET power MOSFETs from Texas Instruments and have similar specifications and applications as the CSD18543Q3AT. -
Features
The CSD18543Q3AT is a dual N-channel, 60V MOSFET with low on-resistance and fast switching speed. It features a small package size and low parasitic capacitance, making it suitable for high-frequency applications and reducing energy losses. -
Pinout
The CSD18543Q3AT is a dual N-channel MOSFET. It has 8 pins (5 for the first MOSFET and 3 for the second). The function of this device is to provide a fast switching capability and low ON resistance for power applications. -
Manufacturer
Texas Instruments is the manufacturer of the CSD18543Q3AT. It is an American semiconductor company that designs and manufactures various electronic components for a range of industries including consumer electronics, industrial machinery, automotive, and telecommunications. -
Application Field
The CSD18543Q3AT is a P-channel power MOSFET that can be used in various applications such as power management, battery charging, motor control, and LED lighting. It provides a low on-resistance and high power dissipation capability, making it suitable for high-performance systems that require efficient power switching. -
Package
The CSD18543Q3AT chip has a package type of D2PAK, a form of SMD, and a size of 10.60mm x 9.90mm.
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