Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000
NSV60600MZ4T1G
Bipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: NSV60600MZ4T1G
Fiche de données: NSV60600MZ4T1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-261-4,TO-261AA
Statut RoHS:
État des stocks: 6 446 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,369 | $0,369 |
| 10 | $0,314 | $3,140 |
| 30 | $0,286 | $8,580 |
| 100 | $0,259 | $25,900 |
| 500 | $0,241 | $120,500 |
| 1000 | $0,232 | $232,000 |
En stock: 6 446 PC
NSV60600MZ4T1G Description générale
The NSV60600MZ4T1G Bipolar Transistor offers a unique combination of features that set it apart from other transistors on the market. Its low saturation voltage means that it can operate efficiently even under high load conditions, making it an ideal choice for power-sensitive applications. Additionally, its high gain allows for precise control over the transistor's output, ensuring that your circuits operate smoothly and reliably. Whether you are working on a new project or upgrading an existing design, this transistor is sure to meet your performance requirements
Caractéristiques
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- High DC Current Gain
- High Current-Gain Bandwidth Product
- Superior gain linearity
- NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
- These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Application
- Linear voltage regulation
- Power management for portable devices
- Switching regulator
- Inductive load driver (e.g. motors, fans, relays)
- Linear controls
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V | Power - Max | 800 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The NSV60600MZ4T1G is a power management chip designed for use in portable electronic devices. It features multiple power management functions including voltage regulation and power monitoring, all in a compact and efficient package. This chip is ideal for applications where space and power efficiency are critical considerations.
-
Equivalent
Some equivalent products of NSV60600MZ4T1G chip are Maxim MAX60600, Texas Instruments TPS731xx, Analog Devices ADP120, and ON Semiconductor NCP612. -
Features
NSV60600MZ4T1G is a high-performance 60 GHz millimeter wave radar sensor that offers accurate distance measurement, object detection, and tracking capabilities. It features a compact size, low power consumption, and multiple target tracking functionality, making it ideal for various industrial and automotive applications. -
Pinout
The NSV60600MZ4T1G is a 40-pin QFN package semiconductor device used for power management and voltage regulation in electronic circuits. It provides multiple output voltage rails and can handle high power loads. Its pins are used for input voltage, ground, control signals, and various output voltages. -
Manufacturer
NSV60600MZ4T1G is manufactured by ON Semiconductor, a multinational corporation that produces power and signal management, logic, discrete, and custom devices for a variety of industries including automotive, communications, and industrial applications. -
Application Field
NSV60600MZ4T1G is a high-power RF transistor ideally suited for applications in radar systems, industrial heating, plasma generation, and medical equipment requiring high-frequency operation. It is commonly used in industrial and medical RF applications where high power and efficiency are critical. -
Package
The NSV60600MZ4T1G chip is packaged in a surface-mount, plastic, 4-pin TO-252 form. The size of the chip is 2.94x6.22 mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
