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PC28F512M29EWHB
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R
Marques: Micron Technology
Pièce Fabricant #: PC28F512M29EWHB
Fiche de données: PC28F512M29EWHB Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: BGA-64
type de produit: NOR Flash
Statut RoHS:
État des stocks: 9458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclaturePC28F512M29EWHB Description générale
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 100 ns 64-FBGA (11x13)
Caractéristiques
- High-Performance Read, Program and Erase
- – 96 ns initial read access
- – 108 MHz with zero wait-state synchronous burst reads: 7 ns clock-to-data output
- – 133 MHz with zero wait-state synchronous burst reads: 5.5 ns clock-to-data output
- – 8-, 16-, and continuous-word synchronous-burst Reads
- – Programmable WAIT configuration
- – Customer-configurable output driver impedance
- – Buffered Programming: 2.0 μs/Word (typ), 512-Mbit 65 nm
- – Block Erase: 0.9 s per block (typ)
- – 20 μs (typ) program/erase suspend
- Architecture
- – 16-bit wide data bus
- – Multi-Level Cell Technology
- – Symmetrically-Blocked Array Architecture
- – 256-Kbyte Erase Blocks
- – 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions
- – 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions
- – 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions
- – 128-Mbit device: Eight 16-Mbit partitions
- – Read-While-Program and Read-While-Erase
- – Status Register for partition/device status
- – Blank Check feature
- Quality and Reliability
- – Expanded temperature: –30 °C to +85 °C
- – Minimum 100,000 erase cycles per block
- – 65nm Process Technology
- Power
- – Core voltage: 1.7 V - 2.0 V
- – I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V
- – Standby current: 60 μA (typ) for 512-Mbit, 65 nm
- – Deep Power-Down mode: 2 μA (typ)
- – Automatic Power Savings mode
- – 16-word synchronous-burst read current: 23 mA (typ) @ 108 MHz; 24 mA (typ) @ 133 MHz
- Software
- – Micron® Flash data integrator (FDI) optimized
- – Basic command set (BCS) and extended command set (ECS) compatible
- – Common Flash interface (CFI) capable
- Security
- – One-time programmable (OTP) space
- 64 unique factory device identifier bits
- 2112 user-programmable OTP bits
- – Absolute write protection: VPP = GND
- – Power-transition erase/program lockout
- – Individual zero latency block locking
- – Individual block lock-down
- Density and packaging
- – 128Mb, 256Mb, 512Mbit, and 1-Gbit
- – Address-data multiplexed and non-multiplexed interfaces
- – 64-Ball Easy BGA
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Micron Technology | Product Category: | NOR Flash |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | BGA-64 |
| Series: | M29EW | Memory Size: | 512 Mbit |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V | Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Active Read Current - Max: | 50 mA | Interface Type: | Parallel |
| Organization: | 64 M x 8/32 M x 16 | Data Bus Width: | 8 bit/16 bit |
| Timing Type: | Asynchronous | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 85 C | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Micron | Memory Type: | NOR |
| Product Type: | NOR Flash | Speed: | 100 ns |
| Standard: | Common Flash Interface (CFI) | Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The PC28F512M29EWHB chip is a flash memory device with a capacity of 512MB. It features a 40nm process technology, a 1.8V power supply, and offers fast read and write speeds. The chip is designed for use in various high-performance applications, such as telecommunications, networking, automotive, and industrial devices.
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Equivalent
Some equivalent products of PC28F512M29EWHB chip are PC28F512M29EWLA, PC28F512M29ESLA, and PC28F512M29EBDA. These chips offer similar features and performance characteristics as the PC28F512M29EWHB chip produced by Micron Technology. -
Features
PC28F512M29EWHB features a 512Mb NAND Flash memory with a 16-bit interface, operating voltage of 1.8V, advanced security features, and high performance and reliability ideal for automotive and industrial applications. It also offers fast program and erase operations, extensive error correction and data retention capabilities. -
Pinout
The PC28F512M29EWHB is a 64-pin flash memory chip. It is a 512Mb (64MB) NOR Flash memory with x16 parallel interface. It is commonly used in applications requiring high-density, non-volatile memory storage such as embedded systems, automotive, and industrial applications. -
Manufacturer
The PC28F512M29EWHB is manufactured by Micron Technology, Inc., which is an American multinational corporation that produces computer memory and data storage products. Micron is a leading provider of advanced semiconductor solutions, specializing in dynamic random-access memory (DRAM), NAND flash memory, and other innovative technologies for storage and memory applications. -
Application Field
The PC28F512M29EWHB is commonly used in embedded systems, industrial control systems, automotive applications, communication devices, and other applications that require high performance and reliability. It is suitable for data storage, program execution, and firmware updates in various electronic devices. -
Package
The PC28F512M29EWHB chip comes in a TSOP package (Thin Small-Outline Package), in the form of a surface-mount device. It has a size of 12mm x 20mm.
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