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NEXPERIA PSMN1R3-30YL,115
N-Channel 30 V 100A (Tc) 121W (Tc) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Marques: Nexperia
Pièce Fabricant #: PSMN1R3-30YL,115
Fiche de données: PSMN1R3-30YL,115 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-1023-4
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,509 | $1,509 |
| 10 | $1,477 | $14,770 |
| 30 | $1,457 | $43,710 |
| 100 | $1,435 | $143,500 |
En stock: 9 458 PC
PSMN1R3-30YL,115 Description générale
The PSMN1R3-30YL,115 is a high-performance logic level N-channel MOSFET housed in an LFPAK package, making it suitable for industrial, communications, and domestic applications. With a temperature rating of up to 150 °C, this MOSFET can withstand harsh operating conditions, making it a reliable choice for a wide range of equipment
Caractéristiques
- Low input capacitance reduces EMI emission
- Improved thermal characteristics for high power applications
- Fast recovery time minimizes energy loss
Application
- Power management
- Motion sensors
- Home appliances
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Nexperia | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-1023-4 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.15 V | Qg - Gate Charge: | 100 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 121 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Part # Aliases: | 934063811115 |
| Unit Weight: | 0.003225 oz | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6227 pF @ 12 V |
| Power Dissipation (Max) | 121W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | LFPAK56; Power-SO8 |
| Package / Case | SOT-1023, 4-LFPAK |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Emballage
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