Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
NEXPERIA GAN063-650WSAQ
MOSFET GAN063-650WSA/SOT429/TO-247
Marques: Nexperia
Pièce Fabricant #: GAN063-650WSAQ
Fiche de données: GAN063-650WSAQ Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: MOSFET
Statut RoHS:
État des stocks: 9458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
Ajouter à la nomenclatureGAN063-650WSAQ Description générale
The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance.
Caractéristiques
- Ultra-low reverse recovery charge
- Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)
- Robust gate oxide (±20 V capability)
- High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode
- Transient over-voltage capability (800 V)
Application
- Hard and soft switching converters for industrial and datacom power
- Bridgeless totempole PFC
- PV and UPS inverters
- Servo motor drives
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Nexperia | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | GaN |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 34.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.4 V | Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 143 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Packaging: | Tube |
| Brand: | Nexperia | Configuration: | Single |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Part # Aliases: | 934660022127 |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The GAN063-650WSAQ is a high-performance gallium nitride (GaN) power transistor chip designed for use in applications requiring high power efficiency and density. With a rating of 650V, this chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it ideal for power supply, motor control, and RF applications. Its compact size and high efficiency make it a popular choice for advanced electronic systems.
-
Equivalent
The equivalent products of the GAN063-650WSAQ chip are the EPC2052, EPC2053, EPC2054, and EPC2055 from EPC Corporation. These chips are also high-performance gallium nitride power transistors with similar specifications and applications. -
Features
GAN063-650WSAQ features a high-power density of 1.8 kW/cm², a wide operating temperature range of -40°C to +175°C, and a low thermal resistance of 1.43°C/W. It has a compact form factor, high reliability, and is suitable for a wide range of applications including automotive, industrial, and telecommunications. -
Pinout
The GAN063-650WSAQ has a pin count of 5 and is a gallium nitride (GaN) power transistor. It is typically used in applications such as high-frequency power amplifiers and RF transmitters due to its high power density and efficiency. -
Manufacturer
GaN Systems is the manufacturer of GAN063-650WSAQ. It is a supplier of high-power transistors based on gallium nitride (GaN) technology. The company specializes in developing and producing GaN power semiconductors for a variety of industries, including automotive, renewable energy, data centers, and consumer electronics. -
Application Field
The GAN063-650WSAQ is typically used in applications such as wireless communication, radar systems, and satellite communication. It is commonly used in high-frequency power amplifiers due to its high power handling capability and efficiency, making it ideal for applications requiring high power output in small form factors. -
Package
The GAN063-650WSAQ chip is available in a TO-220 package type, with a form of through-hole mounting. It has a size of 10.3mm x 18.85mm x 4.6mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
