Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

QPD1000

RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Qorvo

Pièce Fabricant #: QPD1000

Fiche de données: QPD1000 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: QFN-8

type de produit: RF JFET Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 9458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Ajouter à la nomenclature

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour QPD1000 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

Ovaga dispose d'un stock important de QPD1000 RF JFET Transistors depuis Qorvo et nous garantissons qu'il s'agit de pièces originales et neuves provenant directement de Qorvo Nous pouvons fournir des rapports de tests de qualité pour QPD1000 à votre demande. Pour obtenir un devis, remplissez simplement la quantité requise, le nom du contact et l'adresse e-mail dans le formulaire de devis rapide à droite. Notre représentant commercial vous contactera dans les 12 heures.

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: Qorvo Product Category: RF JFET Transistors
RoHS: Details Transistor Type: HEMT
Technology: GaN-on-SiC Operating Frequency: 30 MHz to 1.215 GHz
Gain: 19 dB Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 28 V Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 100 V
Id - Continuous Drain Current: 817 mA Output Power: 24 W
Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 85 C
Pd - Power Dissipation: 28.8 W Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: QFN-8 Packaging: Tray
Brand: Qorvo Configuration: Single
Development Kit: QPD1000PCB401, QPD1000PCB402 Moisture Sensitive: Yes
Operating Temperature Range: - 40 C to + 85 C Product Type: RF JFET Transistors
Series: QPD1000 Factory Pack Quantity: 750
Subcategory: Transistors Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 2.8 V
Part # Aliases: QPD1000TR7

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The QPD1000 is a high-power gallium nitride (GaN) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) designed for radar and communications applications. It offers high efficiency, high power density, and wide bandwidth capabilities in a compact package. The chip is ideal for radar systems, satellite communications, and defense applications requiring high power and high efficiency performance.
  • Equivalent

    The equivalent products of the QPD1000 chip are the QPA1009, QPA1019, and QPA1020. These are high-power amplifiers suitable for a wide range of applications including radar, communication, and electronic warfare systems. They offer high linearity, efficiency, and power output capabilities.
  • Features

    1. GaN technology for high efficiency 2. Wide bandwidth operation 3. High power density 4. Durable and reliable design 5. Low thermal resistance 6. Integrated ESD protection 7. High gain performance across multiple frequency bands
  • Pinout

    The QPD1000 is a 28-pin package RF transistor with 4 RF ports. It is an unmatched generic (common source) device and has a frequency range of 1.9 GHz to 2.7 GHz. Key functions include amplification, power amplification, and switching in RF applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of QPD1000 is Qorvo, Inc. Qorvo is a leading provider of core technologies and RF solutions for mobile, infrastructure, and aerospace/defense applications. The company specializes in designing and manufacturing high-performance semiconductors and radio frequency solutions for a wide range of applications.
  • Application Field

    The QPD1000 is used in various applications such as RF amplifiers, radar systems, microwave communication equipment, and wireless infrastructure. Its high power and efficiency make it particularly well-suited for applications in the telecommunications, defense, and aerospace industries.
  • Package

    The QPD1000 chip comes in a package type called "Plastic Encapsulated DIP". It is in the form of a dual in-line package (DIP) with 4 pins. The size of the package is typically around 0.4 inches in length and 0.3 inches in width.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • MJE5731AG

    MJE5731AG

    Onsemi

    The MJE5731AG is a PNP transistor suitable for gen...

  • MJF18008G

    MJF18008G

    Onsemi

    8A 450V 45W NPN Bipolar Transistors

  • MJ15004G

    MJ15004G

    Onsemi

    The MJ15003 and MJ15004 serve as power transistors...

  • MJ21195G

    MJ21195G

    Onsemi

    ROHS compliant TO-204AA transistors with 250V volt...

  • MJ21196G

    MJ21196G

    Onsemi

    Bipolar NPN Transistor, 250V, 16A

  • PD55015-E

    PD55015-E

    STMicroelectronics, Inc

    RF Mosfet 12.5 V 150 mA 500MHz 14dB 15W PowerSO-10...