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$5000vishay SQ2361ES-T1-GE3
Automotive-grade P-channel MOSFET rated for 60 volts and 2
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SQ2361ES-T1-GE3
Fiche de données: SQ2361ES-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 107 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SQ2361ES-T1-GE3 Description générale
The SQ2361ES-T1_GE3 is a high-performance automotive P-Channel MOSFET designed to handle temperatures up to 175 degrees Celsius. With a low on-resistance of 0.177ohm and a maximum drain current of 2.8A, this transistor is ideal for power management applications in automotive systems
Caractéristiques
- High-performance cryptographic engine
- Symmetric encryption algorithm
- Ruggedized and resistant to environmental stressors
Application
- Smart lighting controls
- Advanced power management systems
- Efficient motor control solutions
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.8 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 177 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
| Tradename | TrenchFET | Series | SQ |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Fall Time | 4 ns | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 9 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Part # Aliases | SQ2361ES-T1_BE3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SQ2361ES-T1-GE3 is a high-performance voltage-controlled oscillator (VCO) chip designed for RF and microwave applications. It features low phase noise and high linearity, making it ideal for use in wireless communication systems, radar systems, and other RF applications. The chip operates at frequencies between 5.9 GHz and 7.6 GHz, with a tuning voltage range of 0.5V to 4.5V.
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Equivalent
Some equivalent products of the SQ2361ES-T1-GE3 chip are SQ2361ES-T1-AE3, SQ2361ES-T2-GE3, and SQ2361ES-T2-AE3. These chips have similar specifications and functionality to the SQ2361ES-T1-GE3 chip. -
Features
- Low RDS(on) of 21 mΩ - High switching frequency of 500 kHz - Integrated current sensing and temperature sensing - Drives MOSFETs and IGBTs - 5 V to 13.2 V operating input voltage range - Operates up to +150 °C junction temperature - True 10 ns digital delay timing accuracy -
Pinout
The SQ2361ES-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. It functions as a low-side switch in electronic circuits, providing switching and amplifying capabilities for power management applications. -
Manufacturer
The SQ2361ES-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., a global company specializing in semiconductor and passive electronic components. They produce a wide range of products including diodes, capacitors, resistors, and inductors used in various electronic devices and systems. -
Application Field
The SQ2361ES-T1-GE3 is primarily used in power management applications, including DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits. Its features make it suitable for various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, and other portable electronics, where efficient power management is crucial for extending battery life and optimizing performance. -
Package
The SQ2361ES-T1-GE3 chip comes in a surface mount package, has a tape and reel form, and measures 3.4mm x 3mm x 0.75mm in size.
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