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vishay SIR638DP-T1-GE3 48HRS

Designed for power-centric applications, this N-channel MOSFET offers a 40V voltage threshold and can handle currents up to 100A

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SIR638DP-T1-GE3

Fiche de données: SIR638DP-T1-GE3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $0,436 $0,436
10 $0,428 $4,280
30 $0,421 $12,630
100 $0,416 $41,600

En stock: 9 458 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour SIR638DP-T1-GE3 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

SIR638DP-T1-GE3 Description générale

The SIR638DP-T1-GE3 is a cutting-edge 60V N-channel MOSFET that boasts impressive specifications for power management applications. With a drain-to-source voltage of 60V and a continuous drain current of 34A, this MOSFET can handle high power loads with ease. Its ultra-low on-resistance of 6.9mΩ at 10V gate-to-source voltage ensures minimal power losses, making it a top choice for efficiency-focused projects

Caractéristiques

  • Enhanced reliability
  • Reduced power loss
  • Efficient usage

Application

  • Efficient power management systems
  • Industrial LED lighting solutions
  • Compact voltage regulators

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Id - Continuous Drain Current 100 A
Rds On - Drain-Source Resistance 880 uOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 16 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.3 V Qg - Gate Charge 204 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 104 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET, PowerPAK Series SIR
Brand Vishay / Siliconix Configuration Single
Fall Time 10 ns Product Type MOSFET
Rise Time 21 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time 52 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SIR638DP-T1-GE3 chip is a power MOSFET designed by Vishay. It features a low on-resistance and a small form factor package. This chip is suitable for various power management applications, including battery chargers, power supplies, and DC-DC converters. It offers high efficiency and reliability, making it an ideal choice for different electronic devices.

  • Equivalent

    There are no direct equivalent products to the SIR638DP-T1-GE3 chip. However, similar alternative options include SIR577DP-T1-GE3 and SIR662DP-T1-GE3 chips, which offer comparable features and specifications.

  • Features

    The SIR638DP-T1-GE3 features a low on-resistance, high-speed switch, and a small package. It is designed for use in various applications, including load switching and DC-DC converters, to enhance system efficiency and reliability. Additionally, it offers excellent thermal performance, which helps to minimize power losses and optimize power conversion.

  • Pinout

    The SIR638DP-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 6. It is commonly used for power management and load switching applications.

  • Manufacturer

    The manufacturer of the SIR638DP-T1-GE3 is Vishay Intertechnology. It is a global company that designs, manufactures, and supplies discrete semiconductors and passive electronic components for a wide range of industries including automotive, telecommunications, consumer electronics, and more.

  • Application Field

    The SIR638DP-T1-GE3 is a high-speed switching diode commonly used in applications such as voltage clamping, high-speed switching circuits, and RF generators. Its small form factor and high-speed characteristics make it suitable for compact electronic devices and communications equipment.

  • Package

    The SIR638DP-T1-GE3 chip has a package type of DPAK-2 and a package form of Q-Outline. The dimensions of the package are approximately 6.73mm x 6.57mm x 2.72mm, making it a relatively small-sized chip.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

IRFP350PBF

GRPB052VWQS-RC

IRFP4768PBF

IRLML0030TRPBF

LTC4366ITS8-2#TRMPBF

TOP259EN

AMK-2-13+

MT40A1G16RC-062E IT:B

SI2301BDS-T1-E3

Q4025L6

ATSAMD21G18A-AU

TLP113

PGA204AU

150141RV73100

MS561101BA03-50

DSSK60-02A

TPS7A2501DRVR

TLV1701AIDBVR

FAN7388MX

XC6SLX45T-2FGG484C

VN750PSTR-E

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