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ST STD7LN80K5
N-Channel 800 V 5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Marques: STMicroelectronics, Inc
Pièce Fabricant #: STD7LN80K5
Fiche de données: STD7LN80K5 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: DPAK
Statut RoHS:
État des stocks: 3 467 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,228 | $1,228 |
| 10 | $1,054 | $10,540 |
| 30 | $0,957 | $28,710 |
| 100 | $0,850 | $85,000 |
| 500 | $0,802 | $401,000 |
| 1000 | $0,781 | $781,000 |
En stock: 3 467 PC
STD7LN80K5 Description générale
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Caractéristiques
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best FoM (figure of merit)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 Ohms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 30 V | Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | MDmesh |
| Packaging: | Reel | Series: | STD7LN80K5 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 17.4 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 6.7 ns | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 23.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns | Unit Weight: | 0.139332 oz |
| Tags | STD7, STD | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | DPAK | feature-standard-package-name1 | TO-252 |
| feature-cecc-qualified | feature-esd-protection | ||
| feature-escc-qualified | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STD7LN80K5 chip is a power MOSFET designed for use in high-power applications. It offers a low on-resistance, allowing for efficient power handling. It has a voltage rating of 800V and a current rating of 7A, making it suitable for use in industrial and automotive applications. Its compact size and high thermal performance make it a reliable choice for power management in various systems.
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Features
The STD7LN80K5 is a silicon carbide power MOSFET with a voltage rating of 800V, a drain current of 7A, and a low on-resistance of 80mΩ. It offers high efficiency and reliability for various power electronic applications, with improved switching frequency capabilities and reduced power losses. -
Application Field
The STD7LN80K5 is a power MOSFET transistor designed for high-voltage applications. It is suitable for various power electronics and energy-efficient systems, including motor control, DC-DC conversion, lighting, audio amplifiers, and industrial automation. -
Package
The STD7LN80K5 chip has a TO-252 (DPAK) package type. It is in a single-chip form and has a size of 6.6mm x 9.3mm.
Fiche de données PDF
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