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ST SCT30N120

N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Stmicroelectronics

Pièce Fabricant #: SCT30N120

Fiche de données: SCT30N120 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: HIP247

type de produit: MOSFET

Statut RoHS:

État des stocks: 3303 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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SCT30N120 Description générale

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Caractéristiques

  • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
  • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
  • Very fast and robust intrinsic body diode
  • Low capacitance

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
ECCN US EAR99 ECCN EU NEC
Packing Type Tube RoHs compliant Ecopack2
Grade Industrial

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SCT30N120 chip is a high voltage power mosfet transistor designed for switching applications. it operates at a voltage rating of 1200v and can handle a current of up to 30a. the chip offers low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high power applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the SCT30N120 chip include the stb30n120k5 and stp30n12axk5.
  • Features

    The SCT30N120 is a silicon carbide (sic) power transistor. it features a high switching frequency, low on-resistance, and high current capability. it is designed for use in applications such as power supplies, motor control, and electric vehicles.
  • Pinout

    The SCT30N120 is a power mosfet transistor. it has 3 pins: gate, source, and drain. the gate pin controls the flow of current between the source and drain pins, allowing or blocking the conduction of electricity.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the SCT30N120 is stmicroelectronics. stmicroelectronics is a multinational semiconductor company, designing and manufacturing a wide range of semiconductor devices used in various applications, including automotive, industrial, consumer, and more.
  • Application Field

    The SCT30N120 is a power transistor specifically designed for motor control applications, making it suitable for use in various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. it can also be used in power supplies and inverters for efficient energy conversion.
  • Package

    The SCT30N120 chip has a to-247 package type, a through-hole form, and a size of 25.9mm x 15.7mm x 5.84mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire SCT30N120 PDF Télécharger

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  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

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