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$5000UJ3C120040K3S
Unipolar SiC transistor employing N-JFET/N-MOSFET architecture, configured in a cascode arrangement, engineered to withstand 1
Marques: Qorvo
Pièce Fabricant #: UJ3C120040K3S
Fiche de données: UJ3C120040K3S Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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UJ3C120040K3S Description générale
The UJ3C120040K3S is a semiconductor device manufactured by UnitedSiC, designed for high-speed switching applications in power electronics. It is a JFET cascode device with a 1200V breakdown voltage, 40mOhm on-resistance, and a maximum continuous drain current of 40A. This device features low gate charge and low input capacitance, allowing for fast switching speeds and improved efficiency in power conversion systems. It is commonly used in applications such as motor drives, inverters, and power supplies, where high efficiency and reliable operation are required.The UJ3C120040K3S is housed in a TO-247 package, providing good thermal performance and ease of mounting on a heatsink for temperature management. It is designed to operate at high temperatures, with a maximum junction temperature of 175°C, making it suitable for use in harsh environments.
Caractéristiques
- 1. Part Number: UJ3C120040K3S
- 2. Category: Capacitors
- 3. Capacitance: 40uF
- 4. Voltage - Rated: 120V
- 5. Tolerance: ±10%
- 6. Temperature Coefficient: X7R
- 7. Package / Case: 1812 (4532 Metric)
- 8. Mounting Type: Surface Mount
- 9. Features: High Voltage, High Q
Application
- Medical imaging
- Industrial automation
- Ruggedized displays
- Automotive applications
- Avionics
- Military displays
- Gaming systems
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | SiC | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV |
| Id - Continuous Drain Current | 65 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 51 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 429 W |
| Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
| Tradename | SiC FET | Series | UJ3C |
| Brand | Qorvo | Configuration | Single |
| Fall Time | 20 ns | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 20 ns | Factory Pack Quantity | 600 |
| Subcategory | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time | 63 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 33 ns |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
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Emballage
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