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$5000TOSHIBA 2SK2613
TRANSISTOR 8 A, 1000 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN, FET General Purpose Power
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Toshiba
Pièce Fabricant #: 2SK2613
Fiche de données: 2SK2613 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-3PN-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ovaga dispose d'un stock important de 2SK2613 Single FETs, MOSFETs depuis Toshiba et nous garantissons qu'il s'agit de pièces originales et neuves provenant directement de Toshiba Nous pouvons fournir des rapports de tests de qualité pour 2SK2613 à votre demande. Pour obtenir un devis, remplissez simplement la quantité requise, le nom du contact et l'adresse e-mail dans le formulaire de devis rapide à droite. Notre représentant commercial vous contactera dans les 12 heures.
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![Toshiba Inventory Toshiba Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba.jpg)
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-3PN-3 | Transistor Polarity: | N-Channel |
Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
Id - Continuous Drain Current: | 8 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Channel Mode: | Enhancement | Series: | 2SK2613 |
Packaging: | Rail | Brand: | Toshiba |
Configuration: | Single | Fall Time: | 30 ns |
Height: | 20 mm | Length: | 15.5 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 20 ns |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 113 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
Width: | 4.5 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The 2SK2613 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for use in power amplifiers, motor drives, and other high-frequency switching circuits. The chip has a compact size and can handle high currents, making it a versatile choice for various electronic applications.
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Equivalent
Equivalent products of the 2SK2613 chip include the IRF1310N, STP12NM50FP, and STP8NM50FP. -
Features
The 2SK2613 is a power MOSFET transistor. Its features include a voltage rating of 900V, a continuous drain current of 5A, and a low on-resistance. It is suitable for use in various applications that require high voltage switching and amplification. -
Pinout
The 2SK2613 is a 3-pin N-channel MOSFET transistor. It has a source pin (S), gate pin (G), and drain pin (D). The source is connected to the reference voltage, the gate controls the conductivity between the source and drain, and the drain pin carries the main current. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2SK2613 is Toshiba Corporation. It is a multinational conglomerate company based in Japan that specializes in various products and services, including information technology, electronic components, and energy systems. -
Application Field
The 2SK2613 is a power MOSFET transistor with high voltage capability and low on-state resistance. It is commonly used in applications such as power supply circuits, motor control circuits, switching circuits, and audio amplifier circuits where high power handling and low resistance are required. -
Package
The 2SK2613 chip comes in a TO-220 package type, with a Through-Hole form factor. The size specifications are approximately 10.16mm in length, 4.57mm in width, and 9.40mm in height.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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