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TOSHIBA SSM3J15FV,L3F
SSM3J15FV,L3F is offered in a SOT-723 package and is ROHS compliant
Marques: Toshiba
Pièce Fabricant #: SSM3J15FV,L3F
Fiche de données: SSM3J15FV,L3F Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-723-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,060 | $0,060 |
| 200 | $0,024 | $4,800 |
| 500 | $0,023 | $11,500 |
| 1000 | $0,023 | $23,000 |
En stock: 9 458 PC
SSM3J15FV,L3F Description générale
Featuring a low on-resistance of 1.5Ω, the SSM3J15FV,L3F delivers impressive power efficiency and reduced power losses in circuit applications. Additionally, its low threshold voltage of -0.7V allows for seamless control and operation within a circuit, offering greater flexibility and ease of use. These characteristics make it a perfect fit for battery-powered devices, portable electronics, and power management circuits where low power consumption is critical
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-723-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V | Qg - Gate Charge: | - |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Tradename: | MOSVI |
| Series: | SSM3J15 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Toshiba | Configuration: | Single |
| Height: | 0.5 mm | Length: | 1.2 mm |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 175 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 65 ns |
| Width: | 0.8 mm | Unit Weight: | 0.000053 oz |
| Series | π-MOSVI | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1 pF @ 3 V | Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | VESM | Package / Case | SOT-723 |
| Base Product Number | SSM3J15 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SSM3J15FV,L3F is a P-channel MOSFET chip that is commonly used in various electronic applications due to its small size, low power consumption, and high efficiency. It is designed to handle high voltage levels and can be used in a variety of circuit designs to control or amplify electrical signals.
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Equivalent
The equivalent products of SSM3J15FV,L3F chip are FDD9435 and IRLL2705V, which are dual N-channel MOSFETs with a similar voltage and current rating. They can be used as substitutes in applications requiring a small surface-mount package with low on-resistance. -
Features
1. N-channel MOSFET 2. 30V drain-source voltage 3. 3.6A continuous drain current 4. Low on-resistance (RDS(on) = 0.06 ohm) 5. High speed switching capability 6. Ideal for power management applications in portable devices. -
Pinout
The SSM3J15FV,L3F is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. It is used for high speed switching applications in portable devices, such as smartphones and tablets. The function of this MOSFET is to control the flow of power between the battery and various components in the device. -
Manufacturer
The manufacturer of the SSM3J15FV,L3F is Panasonic Corporation. Panasonic Corporation is a multinational electronics corporation headquartered in Kadoma, Osaka, Japan. They produce a wide range of products, including consumer electronics, appliances, automotive components, and industrial solutions. -
Application Field
The SSM3J15FV,L3F is commonly used in applications such as smartphones, tablets, and other portable electronic devices as a low on-resistance P-channel MOSFET. It is also suitable for use in battery management systems, power management circuits, and other low-voltage applications where high efficiency and compact size are required. -
Package
The SSM3J15FV,L3F chip is a surface mount package type in the SOT-23 form. It has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
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