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Infineon BSC042NE7NS3G
This MOSFET model, BSC042NE7NS3G, is designed for high-power applications requiring superior performance and reliability
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC042NE7NS3G
Fiche de données: BSC042NE7NS3G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TDSON-8
Statut RoHS:
État des stocks: 2 935 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $6,093 | $6,093 |
| 10 | $5,770 | $57,700 |
| 30 | $5,568 | $167,040 |
| 100 | $5,361 | $536,100 |
| 500 | $5,268 | $2634,000 |
| 1000 | $5,228 | $5228,000 |
En stock: 2 935 PC
BSC042NE7NS3G Description générale
N-Channel 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSC042NE7NS3G | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8 |
| Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 220 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 75 V |
| Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0042 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 40 pF |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N8 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 125 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | NO LEAD | Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 37.5 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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